天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“多晶硅电阻的制备方法”的专利，授权公告号为CN112928209B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2021年1月22日。
本发明提供一种多晶硅电阻的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多晶硅层。去除部分多晶硅层，以将多晶硅层分为若干个子多晶硅层。对所有子多晶硅层同时执行至少一次离子注入工艺。分别对每一子多晶硅层执行至少一次离子注入工艺，且每一子多晶硅层采用的离子种类和/或浓度不同。因此，本发明是在被同时执行至少一次离子注入工艺的基础上，对每一子多晶硅层再执行不同浓度和/或不同种类的离子注入工艺，由此通过离子叠加作用，以得到预设电阻率，进而获得若干个具有不同预设电阻率的子多晶硅电阻。故本发明不仅能同时制备多个具有不同电阻率的多晶硅电阻，提高制备效率，还可通过调节离子的浓度和/或种类，精准地获得预设电阻率。
