天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法”专利公布，申请公布日为2024年8月30日，申请公布号为CN118563293A。
本发明提供一种减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法，将一批硅片载入炉管的反应腔中，通入第一反应气体，进行第一薄膜沉积，在硅片和炉管内壁生成一层第一薄膜；反应完成后，将硅片移出反应腔；若累计第一薄膜的膜厚小于第一预设值，则继续执行该步骤，否则执行后续步骤；将另一批硅片载入炉管的反应腔中，通入第二反应气体，进行第二薄膜沉积，在炉管内壁的第一薄膜表面上以及硅片表面生成一层第二薄膜，第二薄膜的内应力与第一薄膜的内应力相反；反应完成后，将硅片移出反应腔；若累计第二薄膜的膜厚小于第二预设值，则继续执行该步骤，否则执行后续步骤。本发明可以降低成膜过程中的颗粒缺陷，提高产品的良率。
