华虹宏力“半导体器件的形成方法”专利公布

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天眼查显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体器件的形成方法”专利公布,申请公布日为2024年9月6日,申请公布号为CN118610154A。

本发明提供了一种半导体器件的形成方法,包括:在衬底的表面形成图案化的第一TEOS层作为硬掩膜层;使用硬掩膜层刻蚀衬底,以形成深沟槽;在图案化的第一TEOS层的表面和深沟槽的内壁上形成第二TEOS层;向深沟槽底部的衬底内注入离子,以形成沟道停止层;去除图案化的第一TEOS层和第二TEOS层;在深沟槽的内壁和衬底的表面形成第三TEOS层,深沟槽内壁的第三TEOS层和衬底表面的第三TEOS层的厚度相同;第三TEOS层反应形成隔离氧化层,隔离氧化层的表面平整;向深沟槽内填充多晶硅,多晶硅同时覆盖隔离氧化层的表面,研磨多晶硅,以在深沟槽内形成栅极。本发明减少了多晶硅的残留。

责编: 赵碧莹
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