3月1日，拓荆科技股份有限公司（下文简称“拓荆科技”）发布公告称，公司基于整体战略布局及经营发展的需要，为加快产能规划及产业布局，拟投资建设“高端半导体设备产业化基地建设项目”。
据公告披露，该项目由拓荆科技及其子公司拓荆创益共同实施，拟在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括千级生产洁净间、立体库房、测试实验室等。该产业化基地建成后，将进一步提高其的产能，以支撑PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长，提升公司整体竞争力和盈利能力。
公告显示，此次建设新项目，出于两点考虑：
一是符合国家发展战略，巩固公司行业地位；
二是有利于公司把握市场需求，抓住市场机遇。
项目投资规模：项目总投资额约为人民币 110,000.00 万元，其中拓荆科技投资金额约为人民币 38,000.00 万元，拓荆创益投资金额约为人民币 72,000.00 万 元。
项目资金来源：拓荆科技拟调减首发募投项目“先进半导体设备的技术研发与改进项目”募集资金承诺投资总额人民币 20,000.00 万元，同时调减超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”的募集资金承诺投资总额人民币 5,000.00 万元，并将上述调减的募集资金合计人民币 25,000.00 万元投入本项目，其余项目资金人民币 85,000.00 万元由拓荆科技及拓荆创益自筹。（校对/韩秀荣）
