近日，拓荆科技在接受机构调研时表示，公司自主研发并推出的超高深宽比沟槽填充CVD产品首台已通过客户验证，实现了产业化应用，并获得客户重复订单及不同客户订单，陆续出货至客户端验证。
超高深宽比沟槽填充CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。拓荆科技称，目前与超高深宽比沟槽填充CVD设备相关的反应腔累计出货超过15个。
另外，拓荆科技的PECVD Bianca设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护，可以应用于存储领域及逻辑领域。今年上半年，拓荆科技首台PECVD Bianca工艺设备通过客户验证，实现了产业化应用，截至上半年末，累计超过25个反应腔获得订单，部分反应腔已出货至客户端。
拓荆科技表示，研发是公司发展的基石，公司会持续进行高强度的研发投入，不断拓展新产品、新工艺，并根据客户需求进行产品迭代升级，进而促进公司的稳定发展，预计2024年研发投入占营业收入的比例将保持在20%以上。
（校对/黄仁贵）
