佳能推出纳米压印半导体制造设备 或为中美竞争增添新战线

日本佳能公司10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印（NIL）半导体制造设备，该设备执行电路图案转移，这是最重要的半导体制造工艺。

佳能FPA-1200NZ2C

据佳能介绍，传统的光刻设备通过将电路图案投射到涂有抗蚀剂的晶圆上，而新产品通过在晶圆上的抗蚀剂上压印有电路图案的掩模来实现这一点，就像邮票一样。由于其电路图案转移过程不经过光学机构，因此可以在晶圆上真实地再现掩模上的精细电路图案。

采用NIL工艺制造的光谱元件

目前，佳能的NIL技术使图案的最小线宽为14nm，对应5nm节点逻辑半导体。此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望使电路图案化的最小线宽为10nm，这对应于2nm工艺节点。

据悉，5nm芯片制造设备行业由ASML主导，佳能的纳米压印方法或将有助于其缩小差距。

运行中的FPA-1200NZ2C

此外，有报道称，佳能的设备也可能为中美竞争增添一条新战线。美国禁止向中国出口EUV设备，这是迄今为止制造5nm及更小芯片的唯一可靠方法。

而佳能的技术完全跳过了光刻技术，可将所需的电路图案压印到硅晶圆上。由于其新颖性，现有贸易限制不太可能明确禁止它。

佳能发言人拒绝就新设备是否会受到日本出口限制发表评论。

据悉，纳米压印长期以来一直承诺提供光学光刻的低成本替代方案，并且过去曾被SK海力士和东芝推广，东芝前存储部门铠侠在佳能纳米压印设备商业化成熟之前曾测试过佳能的纳米压印机。

佳能一直专注于制造不太先进芯片的产品，该公司于2014年收购了纳米压印先驱Molecular Imprints Inc.，并花了近十年的时间研究该技术。此外，佳能正在东京北部的宇都宫市建设二十年来第一座光刻设备新工厂，预计将于2025年投产。

（校对/孙乐）