图源：欧新社
机构调研显示，三星电子在2023年之前不太可能量产3nm GAA工艺，这可能使其在尖端芯片竞争中处于不利地位。
Digitimes Research指出，三星将继续在其4nm工艺中使用FinFET晶体管结构，第一代工艺将于2021年下半年发布。而三星采用GAA晶体管的3nm工艺，在性能和成本上都只能与台积电的3nm FinFET工艺相匹敌。
根据此前报道，台积电将在2024年推出的2nm工艺中引入GAA晶体管技术，公司透露，其4nm制程将在本季度进行风险生产，并在2022年批量生产。3nm制程则将继续使用FinFET晶体管结构。
CEO魏哲家补充称，“我们的3nm技术一旦引进，将是PPA和晶体管技术中最先进的代工技术。”台积电预计，其3nm制程将在2021年进行风险生产，并在2022年下半年进行量产。（校对/小山）
