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东部高科将建8英寸SiC产线,目标2025年供应车用1200V SiC MOSFET

来源:爱集微

#东部高科#

#SiC#

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#8英寸#

06-24 15:11

图源:ETNews

集微网消息,东部高科副会长Chang-sik Choi在最近举行的韩国半导体显示技术学会20周年纪念活动上表示,公司计划在位于忠清北道的8英寸晶圆厂建设新一代功率半导体生产线,目标是在2025年生产并向成品汽车供应首款1200伏 SiC MOSFET。

据ETNews报道,东部高科目前正在测试和生产6英寸功率半导体,该项目被韩国工业通商资源部选为8英寸SiC MOSFET量产基地建设项目。Chang-sik Choi强调说:“生产日程有可能会提前。”“正在积累6英寸功率半导体的生产技术。”

东部高科是韩国最大的8英寸硅基晶圆制造商,其位于京畿道和忠清北道的两家晶圆厂目前为IC设计客户生产功率半导体、模拟电路、图像传感器、显示驱动IC (DDI)等产品,两家晶圆厂总产能达到13.8万张/月。公司预计将利用忠清北道晶圆厂的闲置空间,建设新一代SiC半导体基础设施。(校对/隐德莱希)

责编: 武守哲

思坦

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半导体产业观察者,微信:619721947

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