在全球半导体产业竞争日趋白热化的今天，射频前端芯片被誉为无线设备的“咽喉要道”，其自主可控程度直接关乎一国通信产业的安全与竞争力。然而，这一领域长期被美日巨头垄断，尤其在高集成度的PAMiD/L-PAMiD模组上，中国企业始终难以逾越技术、专利与供应链构筑的重重屏障。随着5G向5G-A乃至6G演进，射频前端模组正向更高集成、更宽频段、更低功耗加速迭代。与此同时，地缘政治波动与供应链不确定性，使得国产替代不再仅仅是“性价比”的选项，更成为保障产业安全的“必答题”。
在这一背景下，卓胜微在L-PAMiD模组上的全国产化突破，成为国产射频前端芯片进入“深水区”攻坚的标志性事件。其意义不仅在于填补了国内高端射频模组的空白，更在于通过IDM模式的纵深布局，打通了从设计、制造、封装到材料的全链路自主闭环，为国产射频产业探索出一条可持续、可迭代的自主化路径。近日，卓胜微电子股份有限公司相关技术负责人接受专访，深度解析了公司在模组战略上的布局思考、技术突破与产业担当，揭开了国产射频前端突围的核心密码。
攻坚克难，L-PAMiD实现国产飞跃
作为射频前端的核心器件，PAMiD模组集成了PA、滤波器、开关等多种器件，技术复杂度极高，尤其是高端PAMiD模组中的滤波器，更是决定模组性能优劣的关键要素，近几年成为国产射频前端头部企业的集中攻关方向。2025年下半年，卓胜微集成自产MAX-SAW高端滤波器的L-PAMiD产品已实现规模量产与交付，成功进入荣耀等头部手机品牌供应链，并应用于多款旗舰与中端机型，成为国产射频芯片自主化进程中的里程碑。回顾卓胜微从开关/LNA龙头，到接收端模组，再到发射端L-PAMiD的产品演进，背后是一条清晰的技术纵深与供应链自主战略。
“卓胜微的路线是真正的全模组国产化，核心在于滤波器的自主可控。”相关技术负责人强调，相较于开关、低噪放等环节，滤波器的国产化难度最大，而卓胜微通过自建产线，突破了高性能滤波器的设计与制造瓶颈，实现了从滤波器、PA到模组集成的全链路自主可控。从2023年10月正式启动模组研发，到2025年上半年实现批量发货，卓胜微用近两年时间完成了这场硬仗。其间，公司组建了百余人的核心团队，采用“硬仗管理”模式推进，成功跨越了多个关键节点，最终在头部品牌旗舰机型中实现规模应用，并将在今年的新旗舰机型中进一步拓展。
在产品落地方面，卓胜微集成自产MAX-SAW滤波器的L-PAMiD产品性能和技术也不断优化，已达到行业主流水平，并通过了部分品牌客户的验证。目前不同方案的L-PAMiD产品已在多个品牌客户实现规模量产与交付，并在多元化应用场景中表现出显著的性能提升。
谈及攻克技术难关的过程，技术负责人坦言过程充满挑战。“L-PAMiD的规格书多达100多页，远非传统器件可比，不存在标准版本，必须针对客户需求定制化开发。”这期间公司重点攻克了三大核心难题：滤波器的性能、良品率与封装技术、PA的性能与可靠性提升，以及多组件集成后的协同优化。通过采用倒装工艺替代传统打线模式，优化版图设计与应力释放路径，实现了PA与滤波器的阻抗匹配设计，卓胜微的L-PAMiD产品最终达到行业主流水平，在接收端低频段等关键性能上形成独特优势。
技术负责人指出，L-PAMiD的真正难点往往不在传统性能指标，而在于谐波抑制、频谱泄漏、群延时、隔离度等“隐形指标”，以及如何在封装可靠性、成本与性能之间找到最佳平衡。“它需要实现各项性能的平衡。我们在个别性能上有优势，比如接收端低频段采用POI工艺，这是我们的天生优势。后续卓胜微将继续推进产品迭代与产能爬坡，同时深化与客户在下一代模组定义上的协同创新。”
生态共荣，灯塔效应照亮前路
L-PAMiD的成功并非单一分立器件的突破，其背后是卓胜微在供应链垂直整合与生态构建上的长期布局。技术负责人指出，高端PAMiD模组的核心瓶颈在于小型化的高性能滤波器，全球滤波器市场CR3高达67%，且均为IDM模式，代工产能难以获得。国内射频公司缺乏高性能滤波器能力，难以制造高端模组。
“要做射频前端模组，当时有个快捷方式，就是跟别家一样去买海外的滤波器，但这条路对我们来说完全行不通，海外不会卖给我们，我们也不愿意买。”技术负责人表示，正是这种倒逼，让卓胜微下定决心自建产线，形成从滤波器、双工器、四工器到模组集成的全链条能力，为L-PAMiD模组提供了关键滤波器支撑。
随着在高端模组领域站稳脚跟，卓胜微正逐步从“被动执行规格”转向“与客户共同定义产品”。“以前是客户提供规格，我们来实现；现在我们要花3-6个月与客户讨论规格，告诉他们哪些可实现、哪些可优化、哪些可调整布局以降低成本或提升性能。”技术负责人说，“这种参与感与话语权的提升，是我们坚持自主研发、自建产线的重要回报。”尽管射频模组高度定制化，行业标准难以统一，但卓胜微正通过定制化服务的模式，积累着参与未来标准制定的话语权。
对于国内射频厂商攻坚射频前端模组的不同发展模式，技术负责人认为各有所长，但IDM模式在滤波器领域具有不可替代的优势。“滤波器的每个工艺步骤都有独特性，制造与设计高度绑定，靠标准件模式很难行得通。”他认为，国内PA厂商和滤波器厂商的合作模式在初期进展较快，但难以实现深度定制与持续优化。长期来看，国产化滤波器仍是必由之路，而卓胜微的全链条布局已形成先发优势。
更重要的是，卓胜微在L-PAMiD领域的突破，不仅实现了自身产品升级，更对整个国产射频前端产业链产生了显著的拉动效应。这种“灯塔效应”体现在技术、产能与生态多个维度。公司在实现滤波器自主量产的同时，还通过与国内供应商深度合作，推进前端材料的国产化进程。
相关技术负责人介绍，滤波器前端材料国产化主要包括SOI衬底、POI晶圆、砷化镓衬底与外延三大块，在材料国产化方面，卓胜微已形成三大布局：一是与国内衬底厂商展开深度合作推进SOI衬底国产化，逐步在滤波器产品中使用国产POI材料。二是与国内激光器外延企业合作研发的砷化镓衬底和外延产品，已完成第一代研发并进入量产导入阶段，目标年底进入大客户供应链。三是在封装环节，卓胜微与国内封测厂合作开发了BDMP（裸芯片封装）等先进封装工艺，并已在L-PAMiD模组中实现量产。同时，公司还在布局基于RDL的先进封装技术，通过立体堆叠实现更高集成度与更小尺寸。
“通过先进封装工艺，同样的功能，模组面积可缩小40%以上，或同样面积多集成40%的组件，厚度与传统单层封装相当。”技术负责人表示，“在砷化镓代工合作方面，卓胜微与国内新兴代工厂深度绑定，帮助其解决了PA良率、产品可靠性与生产一致性等关键问题，将其月产能从几百片提升至2000多片，成长为国内砷化镓代工领域的重要力量。”
“国产化要分两步走，先对标再超越，目前对标已经完成，接下来要解决一致性问题。”他强调，公司将继续对国内供应商采取扶持与倒逼并重的策略，推动产业链技术能力持续提升。
值得一提的是，卓胜微与上下游伙伴共同攻克的BDMP封装、砷化镓代工等关键技术，已随着合作深化逐步成熟并将向行业开放。技术负责人表示，目前已有企业开始跟进BDMP封装技术，而砷化镓代工企业在成熟后也已开始服务更多行业客户，带动了整个国内射频产业的技术升级。
前瞻布局，创新定义未来射频
面向未来，卓胜微已启动面向5G-A与6G的下一代Phase 9、Phase 10模组研发。“下一代L-PAMiD将在同样封装尺寸内集成更多频段与功能，对发射效率、功率、耐受能力提出更高要求。”技术负责人指出，滤波器的小型化与高功率耐受成为关键挑战。“我们定义的滤波器技术路线是每年面积缩小25%，目前已走到第三代。但这条路即将触顶，未来需通过材料创新、结构优化实现新一轮突破。”
面对2026年手机市场可能出现的销量下滑，技术负责人保持战略定力：“传统分立器件业务可能受到影响，但模组业务因国产化率低、市占率提升空间大，仍将保持增长。行业价格‘内卷’很严重，但我们坚持不做负毛利产品，企业必须有自己的造血能力。”
他建议产业链各方应告别“低价者得”的竞争模式，转向综合评估技术价值、供应链安全与长期合作。“烧钱占份额的模式不可持续。行业需要合理利润支撑研发与迭代，否则没有赢家。”
在国产替代的新阶段，卓胜微将核心方向从“有无”转向“超越”。“过去解决了有没有的问题，现在要追求技术引领与创新定义。” 技术负责人表示，公司未来将重点布局高价值、高技术创新的产品，同时兼顾低成本产品以保障产能和市场份额。中国半导体产业要攻克更多 “硬骨头”，需要坚持长期主义和自主创新，同时构建良性的产业生态。
对于有志于投身射频领域的年轻工程师，技术负责人分享了自己的经验：“射频技术门槛高、挑战大，但也充满机遇。要沉下心来做研发，既要关注核心性能指标，也要重视那些看似不起眼但对客户至关重要的细节。”他认为，随着5G、6G、卫星通信等新技术的发展，射频前端将迎来更广阔的应用空间，年轻一代工程师大有可为。
站在新的发展起点，卓胜微正以L-PAMiD的突破为基础，向更高频段、更复杂架构的射频模组迈进。正如上述技术负责人所言：“当我们形成从材料、制造到设计的全方位绝对力量时，市场份额自然会水到渠成。”这条自主可控的国产化之路，虽然充满挑战，但终将引领中国射频前端产业实现从跟跑到并跑、再到领跑的跨越。
