报！极钼芯携手南大再登《Science》
2026年1月30日，极钼芯科技联合南京大学突破二维半导体量产化的生长动力学调控瓶颈，成果再登《Science》。三个月内两度登顶，标志着我国在该领域实现从"单晶制备"到"可量产化"的跨越，打通实验室到产业的核心环节。
图1.Extremo Oxy-MOCVD 200 ultra
从“实现生长”到“优化生长”：
技术维度的战略升维
2025年10月，突破衬底工程，实现6英寸单晶普适制备。本次突破直指产业化工艺核心——生长动力学控制。Oxy-MOCVD设备围绕南大工艺理念深度定制，以"氧辅助预反应动力学调控"与"无氢低碳硫源输运"双系统，从源头重构生长环境，从根本上破解晶畴尺寸小、生长速率低与碳污染等量产瓶颈，实现实验室制备到产业化的跨越。
图2.MOCVD生长动力学过程
产业化闭环：
从技术突破到生态构建的质变
本次成果的深远意义在于，它与此前的突破共同构成了一个自主、可控、完整的产业化技术闭环：
技术闭环形成：衬底工程与生长动力学调控相得益彰，形成了驱动二维半导体产业化的 “双引擎”，覆盖了从衬底到材料生长的全链条核心工艺。
装备自主深化：Oxy-MOCVD设备实现了100%国产化，并证明了其在支撑国际最前沿工艺创新上的卓越能力，标志着我国在高端半导体装备领域已从“自主可用”迈向“引领定制”的新阶段。
应用落地加速：动力学调控技术使材料在均匀性、纯度、电学性能上达到全新的高度，可无缝对接下一代埃米级芯片、柔性显示等高需求场景，预计将大幅缩短从材料到芯片的产业化进程。
图3.6英寸MoS2单晶表征
战略宣言：
以材料和装备的研发引领，赋能产业未来
在全球竞逐后摩尔时代技术制高点的背景下，极钼芯科技通过本次合作，印证了极钼芯科技作为“二维半导体材料和设备研发引领者”的使命与实力。公司通过“工艺与设备深度协同”的原创模式，证明了中国企业有能力在前沿科技领域，完成从原理创新、技术实现到装备定义的全链条引领。
第一次，我们证明了中国的装备能做出世界级的材料。第二次，我们证明了中国的创新能定义世界级的工艺和装备。这不仅是技术的迭代，更是角色和层级的跃升。作为引领者，我们将继续锚定“十五五”战略方向，深化这一创新范式，推动二维半导体从“中国创新”“中国制造”走向“中国智造”“中国定义”，为全球半导体产业的下一个时代贡献核心力量。
