天狼芯“改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片”专利公布

作者：爱集微 2小时前

来源：爱集微 #天狼芯#

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天眼查显示，深圳天狼芯半导体有限公司“改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片”专利公布，申请公布日为2024年10月29日，申请公布号为CN118866943A。

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片，通过在第三N柱上设置栅极介质层、栅极多晶硅层，并在第三N柱与第二P柱之间设置掺杂浓度较高的第一N柱，在第三N柱与第三P柱之间设置掺杂浓度较高的第二N柱，在第一P柱与第一N柱之间设置较高掺杂浓度的第二P柱，在第二N柱与第四P柱之间设置较高掺杂浓度的第三P柱，使得器件内的电场更加均匀，器件在击穿时，器件内的电流分布可以更加均匀，提升了器件的击穿电压和雪崩耐量。