面对市场需求增加，存储产业持续复苏，三星确认平泽P4工厂建设1c纳米制程DRAM内存产线投资计划，目标是2025年6月量产。
三星平泽P4是综合性半导体生产中心，分为四期计划。三星早期规划，一期生产NAND Flash闪存，二期为逻辑代工，三期及四期为DRAM内存。三星已在P4一期导入DRAM设备，却宣布搁置二期建设。
1c纳米制程DRAM是第六代10纳米级DRAM制程，各大内存1c纳米产品均未发布。三星计划年底启动1c纳米生产。三星考虑2025下半年推出的HBM4采用1c纳米DRAM裸片，或以更先进DRAM制程提升HBM4竞争力，追上对手SK海力士。
考量到HBM对DRAM晶圆的消耗量远高于传统内存，故三星平泽P4建设1c纳米DRAM产线，市场推测可能也是为了HBM4预做准备。
