天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“拓扑保护光子线路设计方法及相关设备”专利公布，申请公布日为2024年8月21日，申请公布号为CN119133083A。
本申请提供一种集成半导体器件及其制备方法，其中集成半导体器件的制备方法中，采用DTI（第一深沟槽隔离结构、第二深沟槽隔离结构）和SOI（底层硅衬底、中间氧化层和顶层硅衬底）结合，形成全介质隔离，从而完全隔离SOI上的CMOS器件（本实施例以NMOS器件为例）和LDMOS器件，提高了芯片整体的抗EMI能力，并完全杜绝寄生双极效应，消除了闩锁的风险，从而提升了电路工作可靠性。
