天眼查显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司近日取得一项名为“衬底及其制备方法”的专利，授权公告号为CN117913124B，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2024年3月20日。
本发明属于半导体领域，提供一种衬底及其制备方法，该衬底包括：基底，N层调试层，N层埋层，N为大于0的整数，所述调试层位于所述基底的一侧表面，且所述调试层与所述埋层间隔排布，所述调试层用于调试外延工艺参数，所述埋层用于在其表面形成所述调试层。本发明的衬底，实现了基底的循环利用，减少了基底的使用量，进而降低了外延过程的运营成本。
