鑫华半导体“一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置”专利公布

作者：爱集微 09-16 21:44

来源：爱集微 #鑫华半导体#

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天眼查显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司“一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置”专利公布，申请公布日为2024年8月30日，申请公布号为CN118572061A。

本发明涉及电化学领域，具体涉及一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置。其技术要点如下：多孔碳前驱体以及气相沉积多孔碳孔隙内的纳米硅颗粒；硅碳负极材料的XRD衍射图中，在2θ角为15°~40°范围内存在第一衍射峰，第一衍射峰的总面积为C；在2θ角为40°~60°范围内存在第二衍射峰，所述第二衍射峰的总面积为D，且0.65≤D/C≤0.95。本发明提供的硅碳负极材料及其制备方法，以及包含该材料的负极极片和电化学装置，通过制备工艺调整，限定扣式电池微分容差曲线的峰强比制备气相法硅碳负极材料，显著改善了电化学装置的能量密度以及循环性能。