晶圆代工大厂联电5月30日举行股东常会，通过每股配发现金股利3元新台币及各项议案，同时顺利完成9席董事改选。联电本次董事会改选，共选任3席一般董事，由洪嘉聪、王石、简山杰续任；独董共6席，其中3位为女性，陈力俊、徐爵民、徐光曦、许文馨连任，此外新增“台湾大学”管理学院信息管理学系教授吴玲玲、前台达电资深副总裁暨总财务长王淑玲。
新任董事任期自2024年5月30日起，至2027年5月29日止。
此次股东会，联电共同总经理王石表示，联电在人工智能（AI）边缘计算布局很深，随着AI产业持续发展，预计未来在AI相关的所有产品中，联电可以抢占10%~20%的市场需求，这需要一些时间，但一定是未来驱动联电营收增长的重要因素。
王石表示，联电绝不会在AI市场中缺席，目前终端市场仍主要聚焦在服务器等基础设施，不过预计经过4年左右的布局后，AI边缘计算市场将开始崛起，届时联电布局的3DIC、高速传输、电源管理IC、MCU等相关芯片市场也会同步向上。目前联电正积极与客户应用对接，因此对AI市场发展相当期待。
王石强调，虽然去年半导体市场出现周期性变化，但联电对未来具有信心，联电除过去22nm、28nm制程发展很成功之外，也持续开发特殊制程，且是以整体解决方案来提升公司竞争力。他进一步指出，联电不仅开发先进的12nm制程技术，同时持续开发40nm、55nm特殊制程等。
此次股东会，联电共同总经理简山杰表示，与英特尔合作开发12nm制程平台将是联电未来技术发展的关键点，2026年开发完成，2027年量产。联电开积极开发的12nm FinFET制程平台相对前代14nm FinFET性能大幅提升，芯片尺寸也更小，功耗降低，充分发挥FinFET性能、功耗、闸密度的优势，将广泛用于各种半导体产品。
（校对/孙乐）
