东芯半导体参展IIC 2023：秀存储实力，斩获年度杰出创新企业奖

11月2~3日，2023国际集成电路展览会暨研讨会 IIC Shenzhen 2023举办。此次展会集行业交流、渠道联动、资源聚合为一体，集中国内领先技术企业及国际大厂，共同探讨和交流集成电路行业新风向。

东芯半导体股份有限公司（以下简称东芯半导体）作为国内仅有的少数几家存储芯片Fabless企业，携公司特色技术产品参展IIC Shenzhen 2023，同时公司副总经理陈磊参加同期举办的全球CEO峰会，在圆桌论坛与业界精英互动交流，畅谈半导体未来十年的机遇与挑战。

全面过硬，展会秀芯片实力

东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。在本次国际集成电路展览会暨研讨会，东芯半导体在1B21展台亮相，携各类NAND Flash、NOR Flash、DRAM等产品参展。

作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。公司产品被广泛应用于工业控制、移动设备、安防、物联网、通讯网络等领域，凭借过硬的产品质量和完善多样的产品线，为厂商提供全面解决方案。

东芯半导体SPI NAND Flash作为拳头产品，采用38nm及2xnm的成熟工艺制程，目前已经推进至1xnm先进工艺制程。产品支持3.3V/1.8V电压及WSON、BGA多种封装形式，满足各类设备需求。凭借优秀的国产技术以及可靠的质量，东芯半导体NAND Flash赢得市场认可。

NOR Flash方面，东芯半导体自主设计的SPI NOR Flash使用ETOX工艺，产品容量覆盖64Mb至1Gb，电压为1.8V，提供通用SPI接口。产品支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式，应用广泛。

在DRAM领域，东芯半导体拥有DDR3(L)、LPDDR产品线，已经被广泛应用于网络通信、消费电子、智能终端、物联网等设备。DDR3(L)作为主流产品具备高传速速率，可提供1.5V/1.35V两种电压模式，提供LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X多种选择。低功耗、高带宽的特点，非常适合应用在各种移动设备中。

此外，东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性。

存力构筑基石，未来充满挑战

2023年以来，AI、新能源汽车、自动驾驶、智能穿戴等加速变革，种种新兴技术正不断涌现，这一切背后的源动力都是“芯片”。半导体如今正取代石油，成为全球主要经济体争抢的“战略资源要地”。

以“科技向善，半导体赋能”为主题的2023全球CEO峰会于11月2日举办，魏少军博士等十余位演讲嘉宾轮番登台，通过一系列主题演讲，为观众带来半导体对科技和经济发展的影响，展望未来技术趋势和新兴应用机会，并共同探讨如何在复杂多变的全球局势下达成协作共赢，让半导体产业持续健康地发展。

东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊，在全球CEO峰会最后的“预见：科技新十年”圆桌论坛登台，与来自Imagination、博世、斯沃特、峰岹科技、英诺达的多名嘉宾畅谈半导体行业的当前与未来，展望未来新十年前沿科技与产业的脉络趋势。

未来十年科技将如何改变世界？论坛嘉宾给出了各自不同的观点，AI技术、软件定义汽车、EDA、传感器到节能环保等方向，皆有众多机遇和前景。但不论是主持人还是嘉宾，都认为预测未来十年很难，充满挑战，不像此前个人电脑、智能手机出现那样有明确趋势；不过，AI技术势必将在未来扮演关键角色。

陈磊认为，改变未来的新技术肯定正在研发中，不可能在未来某个点凭空出现。目前AI、元宇宙等领域的技术，可以分为三点：感知、传输、计算，不过最近国内又提出了“存力”这一观点。存储能力作为基石，决定数据是否被可靠存储，AI运算产生的结果，同样需要进行“存储”动作。

目前存储芯片主要包括NAND、DRAM、NOR Flash三大类，是半导体领域最大的单一市场，占比约1/3。陈磊表示，现阶段存储行业面临的挑战，是几乎所有电子类应用都需要存储器，但是要求各不相同。此外，如何缩小封装，如何降低功耗的同时提高性能，是接下来持续要面对的挑战。存储器作为人工智能、大数据、自动驾驶等领域的底层基础，势必会继续扮演重要的角色，随着技术发展，未来也会有更多新型存储器投入实际应用。

陈磊还透露，东芯半导体努力在产品可靠性上不断提升，目前在NAND和NOR Flash均有产品通过AEC-Q100测试，未来将适用于更严苛的车规应用环境。

创新驱动，东芯半导体再获殊荣

本届IIC最后颁发2023全球电子成就奖，东芯半导体凭借卓越的研发实力以及稳健可靠的产品，成功荣获“2023全球电子成就奖之年度杰出创新企业”。这一奖项，是对东芯半导体多年来深耕存储领域的充分认可。

在2022年，东芯半导体就已凭借SPI NAND Flash产品一举斩获“2022全球国际电子成就奖之年度存储器”奖项，一年过后再获殊荣，体现了东芯半导体在创新驱动下，企业综合实力的进一步增强。

“中国芯”加速发展的今天，东芯半导体通过不断研发迭代，完善存储芯片产品线，与上下游企业一道，取得了一个又一个成果。存储芯片是电子科技领域的关键，东芯半导体未来将持续研发的同时，丰富产品并提高可靠性，与产业链共同协作，努力为客户建立完善的生态链和服务，在终端市场为中国芯再增光添彩。