公开课70期笔记 | 东芯半导体：以创芯动能构建存储市场新维度

集微网消息，在半导体周期性下行背景下，5G、AI、物联网、汽车等新兴市场的出现为半导体行业注入了生机。伴随新兴应用客户对芯片设计与工艺创新提出更多新的需求，以及国内半导体产业链建设逐步走向纵深，国内芯片厂商因此迎来重要的市场机遇，有望在创新应用的带动下进一步突破既有市场格局。

10月18日，集微网举办了第70期“集微公开课”活动，东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊进行“以创芯动能构建存储市场新维度”的主题分享，详细介绍了行业下行周期下的机遇与挑战，分析了存储市场及下游市场需求，并阐述了东芯半导体在新形势下的战略布局。

东芯半导体作为本土拥有自主知识产权、专注于中小容量存储芯片的Fabless公司，聚焦中小容量NAND Flash、NOR Flash、DRAM的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储设计公司之一。

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下行周期叠加新兴应用，存储厂商的机遇与挑战

2022年是我国集成电路产业发展机遇与挑战并存的一年。一方面，2022年我国集成电路产量为3241.89亿块，同比下降9.8%，在市场需求景气度影响下，遭遇了多年来首次下滑；另一方面，我国集成电路产业规模突破1.2万亿元，创下新高，仍在芯片产品和产能领域占据重要地位。

陈磊分析指出，数据背后可以看出，我国是存储器在内的多种芯片产品的最大消耗国，有着优沃的市场环境；但终端需求下降导致的库存调整、国际环境动荡等不利因素，使得芯片企业也面临诸多挑战。

目前，伴随IC设计、晶圆代工、封装测试等全产业链协同发展，国内集成电路产业链各环节在发展中经受住考验，正在走向新的高度。存储芯片作为集成电路产业的核心赛道之一，近年来，在国家政策支持、市场培育下，也逐渐发展壮大。

作为存储芯片设计公司，东芯半导体与产业同频共振，面临挑战之余，也迎来了自己的历史发展机遇。

据悉，东芯半导体的产品主要集中在以DRAM为代表的易失性存储芯片和NAND Flash、NOR Flash为代表的非易失性芯片产品两大类，广泛覆盖消费电子、网络通讯、汽车电子、工业控制、物联网等诸多应用领域。

陈磊表示：“围绕客户对存储器的高传输速率、低延时、高可靠性、自主可控等需求，东芯半导体正在积极布局。例如，高传输速率方面，因为端侧MCU/MPU/CPU性能的提升，对外侧存储器的要求会有相应的提高，因此东芯半导体针对这一需求领域开发支持DTR传输模式的NOR Flash；低延时方面，因为部分5G、物联网应用对延时要求非常苛刻，所以我们针对性优化这部分性能表现；高可靠性方面，宏基站等网络通讯领域与工业控制等领域客户对NOR Flash、NAND Flash和DRAM都有高可靠性要求；此外，自主可控是客户非常看重的一点，而目前东芯半导体所有产品均具有全国产化IP知识产权。”

贴近市场需求，“差异化”打造存储产品矩阵

目前，根据客户需求的差异化，东芯半导体打造了SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、NOR Flash、DDR3（L）、LPDDR和MCP六大系列产品矩阵。

陈磊介绍，东芯半导体SPI NAND Flash、PPI NAND Flash两类，均隶属于公司SLC NAND Flash产品，目前已经处于国内领先水平。

其中，SPI NAND Flash为单颗粒芯片设计的串行通信方案，目前，该类产品单Die存储容量可以覆盖512Mb至4Gb，面向网络通讯、Wifi、监控安防、工业等领域应用。陈磊介绍，产品至今已经从38nm迭代到了2xnm制程，并已推进至1xnm工艺制程。

PPI NAND Flash即并行NAND Flash产品，目前制程包括38、2xnm工艺，单Die存储容量可达8Gb，叠封可以做到16Gb，可以提供包括工业＋级别在内的高可靠产品，稳定工作在-40℃到105℃温度范围内。

陈磊指出，东芯半导体NOR Flash产品主要集中在中大容量低功耗需求，目前工艺已经从65nm过渡到了55nm、48nm，已出货产品包括64Mb、128Mb和256Mb低功耗产品，出样的包括512Mb和1Gb产品。他提到，NOR Flash都是基于ETOX工艺，该工艺可以确保NOR Flash的高性能指标，而面向包括蓝牙耳机等客户，东芯半导体可以提供WLCSP晶圆级封装，使得它更适合低功耗、小空间场景应用。此外，NOR Flash全系列均支持DTR模式，可实现高性能传输。

东芯半导体的DRAM产品主要包括标准接口的DDR3产品和自主设计的低功耗产品LPDDR。前者分为2Gb和4Gb两种规格，主要应用在消费电子、安防等领域；后者单Die设计最大可以做到2Gb，预计2024年将出样LPDDR4X产品，主要应用在物联网、基带等场景。

东芯半导体创新布局的第六类MCP产品，即把PPI NAND Flash与LPDDR封装在一颗芯片上，则可为客户提供小封装、大容量、高可靠性和高性能产品，满足物联网、车载等领域客户需求。

贴近客户需求，东芯半导体基于自主创新能力，可以依据客户需求进行定制化能力提升。陈磊指出，如工业控制领域的PLC控制需求，东芯半导体可以通过自主IP设计提高SPI NAND Flash的可靠性；而东芯半导体的DRAM产品不仅可以做到整体布局的优化，还能在功耗、可靠性等方面也做到优化。

加速车规产品布局

跟进汽车市场蓬勃需求，陈磊表示，未来公司的主要产品都将向车规方向延申发展。目前，东芯半导体已有通过AEC-Q100 Automotive Grade 2（-40℃~105℃）认证的SLC NAND Flash产品，以及通过AEC-Q100 Automotive Grade 1（-40℃~125℃）认证的NOR Flash产品。

陈磊分析指出，东芯半导体面向ECU应用打造的NOR Flash产品，面向仪表盘打造的NAND Flash产品以及我们的MCP已经在做T-Box、V2X车联网领域的设计，“我们的产品是具有前瞻性的”。

不仅仅是产品设计，东芯半导体也在通过晶圆代工、封装测试等Foundry层面的布局，实现对产能的保障。陈磊介绍，目前东芯半导体有两家晶圆代工厂，以保障当下和未来的产能供应。

陈磊表示，东芯半导体以先进的技术水平、多元的市场布局、严格的品质管控和自主的创新能力为核心优势，正在积极围绕客户的潜在需求开发前沿产品，包括车规级高可靠性产品的布局等。东芯半导体也致力于通过产品研发、产品生产、客户服务强化质量管理，为客户提供优质可靠的存储产品。（校对/刘沁宇）