8月27日，2024深圳国际电子展盛大开幕，东芯半导体股份有限公司带来了全系列包含NAND/NOR/DRAM以及我们MCP的产品亮相展会现场，各大热门领域存储应用解决方案引人注目。
展会期间, 东芯半导体及产品喜获三项荣誉大奖，分别是年度产品飞跃奖、年度领军企业奖，我们512Mb 1.8V SPI NOR Flash获得汽车行业创新技术奖。
活动现场
现在我们就将东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊在展会期间为大家做的主题演讲与展台现场相结合，带大家来回顾一下东芯半导体在深圳国际电子展上的展出内容。
在第六届嵌入式大会以及存储技术论坛中的分享中都提及到，当前如汽车电子、工业控制、物联网等新兴领域的不断发展，存储芯片在其中扮演着很重要的角色，东芯半导体站在本土存储设计企业的角度，为在场听会观众以优化产品结构+生态链布局+质量管理等角度来阐述，本土企业如何打造高性能芯片来应对数据时代的大算力、多数据、低功耗的要求。
一.优化产品结构
正如展台中所展示，东芯半导体深耕存储研发，能够为客户提供完整解决方案，同时不断优化产品结构，提升产品性能，在NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，在实际研发过程中不断积累经验，形成了多项核心技术。
1、SLC NAND Flash :SPI NAND &PPI NAND
聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。
2、NOR Flash
存储容量覆盖64Mb至1Gb，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。
3、DRAM
DDR3(L)：
可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。
LPDDR1/2/4X：
LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
4、MCP
产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。
其中，DDR包含LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x等不同规格，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和NAND Flash进行合封，简化走线设计，节省组装空间，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。
二.构建供应链布局
东芯半导体实现全球化运营布局，构建完整生态体系，以“存储”为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局。
01供应链：
公司一直秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合作关系，保证了供应链运转效率和产品质量。
02市场布局：
东芯半导体的产品被广泛应用于工业控制、通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等领域。公司也持续聚焦高附加值产品，目前SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于更严苛的车规环境。
三.把控质量管理
东芯半导体以“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”为公司质量方针，不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。公司持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度并建立了优秀的客户服务团队，将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成良好的处理闭环，并持续提升客户服务管理能力。
