天眼查显示,深圳市汇顶科技股份有限公司“芯片电极开窗的方法和芯片”专利获授权,授权公告日为10月20日,授权公告号为CN110998851B。
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专利摘要显示,本申请实施例公开了一种芯片电极开窗的方法和芯片,所述方法包括:采用光刻工艺制备芯片上方的第i层功能层,所述第i层功能层不覆盖所述芯片的电极开窗区域,其中,i为小于N的正整数,N为大于1的整数;采用可溶解层填平所述芯片的电极开窗区域;在所述芯片上方的第N‑1层功能层和填平的所述电极开窗区域的上方,采用光刻工艺制备所述芯片上方的第N层功能层,所述第N层功能层不覆盖所述芯片的电极开窗区域;使用溶剂溶解所述可溶解层,得到所述芯片的电极的开窗。
据悉,本申请实施例的技术方案,能够提高电极开窗效率,从而提高芯片产能。(校对/刘沁宇)