华虹宏力“半导体结构及其形成方法”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体结构及其形成方法”专利获授权，授权公告日为11月17日，授权公告号为CN113921595B。

图片来源：天眼查

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：掺杂第一离子的衬底；位于衬底内的深沟结构；位于衬底和深沟结构顶部的阻挡掺杂区；位于阻挡掺杂区上的第一外延层；位于第一外延层内的体区，至少部分体区还位于所述深沟结构上方；位于体区内的源区，且所述体区暴露出源区的部分表面；位于第一外延层内的栅极结构，所述栅极结构还位于与深沟结构相邻的衬底上方，且所述栅极结构与所述体区、以及所述源区暴露的部分表面接触；位于所述衬底底部的集电区，所述第二面暴露出集电区表面，且所述集电区与所述深沟结构的底部之间被所述衬底间隔。通过所述半导体结构，提升了绝缘栅双极型晶体管的性能。（校对/刘沁宇）