天眼查显示，比亚迪半导体股份有限公司“半导体功率器件的元胞结构及半导体功率器件”专利获授权，授权公告日为10月17日，授权公告号为CN219842992U。
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专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体功率器件的元胞结构及半导体功率器件。所述元胞结构包括：第一导电类型的漂移区，其具有相对设置的第一表面和第二表面；第二导电类型的第一掺杂区，其形成在漂移区的第一表面上；第一导电类型的源区，其形成在第二导电类型的第一掺杂区的远离漂移区的表面上；阴极金属层，其形成在源区的远离漂移区的表面上；沟槽栅结构，沟槽栅结构自源区的所述表面延伸到漂移区中；层间介质层，其位于沟槽栅结构与阴极金属层之间；阳极金属层，其位于漂移区的第二表面上；以及多个第二导电类型的阱区，彼此间隔开地位于漂移区中且位于沟槽栅结构的下方。（校对/刘沁宇）
