爱仕特完成超3亿元战略融资,加大研发SiC功率MOS芯片

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近日,爱仕特宣布完成超3亿元战略融资,由武岳峰资本领投,国家开发银行、中信建投、瑞芯资本、珠海华发集团、香港郑氏集团、南通市政府、善金资本、产业资本上汽恒旭等相关或关联机构跟投。

爱仕特将继续加大研发力度,不断完善和丰富产品系列,提供更加优质和充足的SiC功率MOS芯片。

爱仕特成立于2017年,主要聚焦于第三代半导体碳化硅大功率电力电子芯片与模块以及相关系统方案的开发,是从事SiC MOS芯片设计、模块生产、系统开发全产业链的国家高新技术企业。

据悉,该公司产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片,高功率低耗损的SiC MOS模块,以及基于SiC MOS模块的整机应用系统方案,提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。(校对/韩秀荣)

责编: 韩秀荣
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