图源：长江存储
业内人士透露，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出产品。
据《电子时报》报道，上述人士表示，推出192层3D NAND闪存芯片，是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在技术竞赛中赶上规模更大的韩国和美国同行。
消息人士称，因128层3D NAND闪存工艺良率已改善至令人满意的水平，长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。该公司将很快完成其总部位于武汉的工厂二期设施的建设，设备入驻预计将在今年晚些时候启动。到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额有望达到7-8%。
另一方面，美光科技推出了业内首款232层3D NAND闪存，预计将在2023年推出的新款SSD中使用。市场观察人士认为，三星电子预计将在2022年晚些时候加入200层以上3D NAND闪存的竞争。（校对/隐德莱希）
