图源：路透
应用材料推出了Stensar化学气相沉积（CVD）技术，作为进一步使用EUV光刻技术进行二维缩放的一种方法，并支持栅极全方位晶体管的形成。Stensar是先进的EUV图案薄膜，替代自旋图案薄膜。
据eeNews报道，由于EUV抗蚀剂的性质，芯片图案需要通过一系列中间层（称为转移层和硬掩膜）蚀刻，然后才能最终蚀刻到晶圆上。到目前为止，这些层都是利用自旋技术沉积的。
与自旋图案薄膜相比，应用材料的Stensar CVD薄膜可帮助客户调整EUV硬掩膜层的特定厚度和蚀刻弹性，从而优化整个晶圆上的EUV图案传输均匀性。
应用材料还宣布其Sym3蚀刻设备能够在同一腔室中蚀刻和沉积材料的能力，这将有助于在将材料蚀刻到晶圆中之前改善EUV图案。改进的EUV图案增加了产率，提高了芯片的功率和性能。（校对/隐德莱希）
