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存储器开发商Weebit正将ReRAM技术扩展到22nm FD-SOI

来源:爱集微

#三星电子#

#俄罗斯#

2022-03-20

图源:路透

集微网消息,以色列半导体存储器开发商Weebit Nano Ltd表示,该公司正在将其嵌入式电阻随机存取存储器(ReRAM)技术扩展到22nm FD-SOI。

据eeNews报道,Weebit正在与CEA-Leti研究所合作设计内存模块,其中包括一个万兆位的ReRAM块,目标是22nm FD-SOI工艺。2021年,Weebit在12英寸晶圆上采用28nm FD-SOI工艺技术测试了可用的1Mbit ream阵列。

格芯在德国德累斯顿的这个生产节点拥有一个批量FDSOI工艺——22FDX。在闪存无法有效扩展到28nm以下的背景下,这为新兴的非易失性存储技术提供了扩展到更高级节点的机会。

与此同时,嵌入式闪存预计不会扩展到22nm,这为Weebit提供了机会,不过相变存储器、磁性RAM和金属氧化物ReRAMs也在开发中,以扩展到这些节点。

Weebit Nano的首席执行官Coby Hanoch在一份声明中表示,“我们继续将Weebit的内存技术发展到更小的几何结构,为物联网、5G和人工智能等应用提供服务,这推动了在嵌入式闪存不再是现实选择的制程节点中,对新型非易失性内存的需求。”

CEA Leti硅组件部门主管Olivier Faynot则在该声明中指出,“将ReRAM技术与FD-SOI结合在一起,对于低功耗嵌入式设备来说是一个巨大的希望,它们需要一种新型的非易失性存储器,并将受益于其效率和鲁棒性(robust,即在异常和危险情况下系统生存的能力)。”

(校对/隐德莱希)

责编: 武守哲

思坦

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半导体产业观察者,微信:619721947

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