图源：电子时报
据业内人士透露，主要NAND芯片供应商将在2021年第四季度提高176层3D NAND芯片产量，这可能会在明年上半年带来供应方面的变数。
据《电子时报》援引消息人士称，美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士紧随其后，在第四季度开始量产。
三星电子也将在平泽第3工厂（P3）安装新的3D NAND芯片生产线，以提高176层3D NAND芯片产量，届时将拥有4万-5万片的月产能。
该人士认为，明年手机和消费者SSD将越来越多地采用176层3D NAND闪存。到2022年底，超过25%的NAND闪存位供应将是176层3D NAND闪存芯片，高于2021年第四季度的近5%。
此外，该消息人士指出，自第四季度以来，电源管理IC和闪存设备控制器芯片的短缺情况一直在改善，这鼓励NAND闪存芯片制造商扩大产量。预计到2022年上半年，NAND闪存的供应将超过需求。
不过，因主要NAND闪存芯片制造商仍对产能扩张持谨慎态度，该行业明年的整体供应增幅将略高于30%，略高于需求增长。三星和SK海力士今年的位供应量增幅都将超过整体位供应量增幅，预计在37%-39%。
（校对/holly）
