美国科技媒体《The Information》8月31日报道指出，长鑫存储（CXMT）已经启动HBM3E存储器的风险试产工作。该存储器厂商目前计划扩大产能，预计到今年底DRAM产能将达到每月35万片晶圆，未来几年产能也将持续提高。
目前还不清楚长鑫存储HBM3E的具体规格，但根据JEDEC规范，HBM3E应采用1024-bit位宽，单脚速率介于9.2Gbps至12.4Gbps之间，大多数标准配置的目标速率为9.6Gbps。在9.6Gbps的典型配置下，HBM3E总带宽可达1.2TB/s。
在采用8层堆叠、单层24Gb DRAM芯片的情况下，HBM3E单一堆叠容量为24GB；采用12层堆叠时容量可达36GB。
考虑到长鑫存储先前已具备从风险试产快速过渡到大规模量产的能力，因此其HBM3E有可能在数周内进入大规模量产阶段。
此外，长鑫存储在晶圆厂无尘室建造速度方面拥有明显优势，建造一座晶圆厂无尘室仅需12个月，其他厂商通常需要两年。
