4月20日晚间，中国领先的一站式系统代工方案的领导者芯联集成发布了2025年度业绩报告及2026年第一季度业绩报告。在半导体行业周期波动与AI技术革命交织的2025年，芯联集成交出了一份“含金量”颇高的成绩单：营收逼近82亿元，亏损大幅收窄近40%，且毛利率实现了连续爬坡。2026年第一季度，公司借力行业景气上行，减亏幅度进一步扩大，盈利拐点临近。
这不仅是财务数字的改善，更标志着芯联集成从过去几年的高投入期，正式迈入了“技术变现”的收获前夜。随着AI业务成为第四大增长极，这家公司正在从国内领先的特色工艺晶圆代工厂，蜕变为AI基础设施的“能源底座”新玩家。
业绩拐点与行业卡位——从规模扩张到高质增长
根据财报披露，2025年芯联集成实现营业总收入81.8亿元，同比增长25.67%。尽管归母净利润仍录得-5.95亿元，但同比大幅减亏38.17%；扣非净利润为-11.19亿元，同比减亏20.63%。基本每股收益为-0.08元，同比减亏42.86%。
进入2026年，芯联集成的增长势头进一步加快。受益于销售规模扩大以及产品盈利能力提升，2026年第一季度实现营业收入19.62亿元，同比增长13.19%；归母净利润为-0.88亿元，同比大幅收窄51.53%。
盈利能力方面，公司2025年销售毛利率提升至5.51%，同比增加4.48个百分点。公司解释称，毛利率的改善得益于研发创新带来的产品迭代、精细化运营带来的生产效率提升，以及收入规模增长所显现的规模效益，这些因素共同有效摊薄了单位产品所分担的固定成本。公司董事长赵奇在业绩会上表示，2025年公司折旧压力已进入下行通道，预计2026年将进一步下降。
特别值得关注的是，2026年第一季度毛利率提升至5.69%，公司已连续7个季度实现正向毛利率，盈利拐点预期增强。2026年初以来，半导体行业景气度持续升温，公司8英寸产线稼动率维持较高水平。与此同时，高毛利的车规级SiC、功率模组产品占比持续提升，共同推动了毛利率的改善和亏损的大幅收窄。
在行业地位方面，芯联集成完成了从“跟随者”到“领跑者”的跨越。根据NE时代统计，2025年公司在国内乘用车功率模块装机量排行榜位列第四，车规产品已应用于中国90%以上的新能源车企。在碳化硅领域，根据Yole Group报告，2025年芯联集成SiC业务实现同比快速增长，成功跻身全球前五，占据约5%的全球市场份额；在MEMS领域，根据Yole发布的《MEMS产业现状2025》，公司位列全球MEMS晶圆代工厂第五名，是中国大陆唯一进入全球前五的MEMS代工企业。
图片来源：《Power SiC/GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q1 2026》- Yole Group
新引擎爆发——AI业务构建增长曲线
芯联集成2025年及2026年第一季度业绩大增背后，既有新能源汽车、工控等成熟产品线的贡献，也受益于AI、光电等新业务的驱动。
在汽车电子方面，公司已构建起从主驱功率芯片到车身、热管理等全系统覆盖的完整产品矩阵，为整车厂提供了高可靠性的“一站式”芯片解决方案，2025年车载领域收入占比达45.43%。单车芯片价值量提升也将驱动公司业绩增长，公司预计，单车配套价值量将从2024年的约2000元持续提升至2027年的3500元，2029年有望达到4500元以上。在工业控制方面，公司产品广泛应用于光伏、储能、智能电网等领域，超高压IGBT产品已实现量产并挂网运行，为风光储充等新型电力系统提供了关键的底层支撑。
如果说车规与工控业务是公司稳健前行的“压舱石”，那么AI业务则是驱动未来高速增长的“新引擎”。正是基于这一深厚的功率与模拟芯片技术根基，公司敏锐地捕捉到“算力尽头是电力”的产业共识，2025年正式将AI列为第四大核心市场，聚焦AI服务器电源领域，稳步拓展业务边界。
针对AI算力“高能耗”的痛点，芯联集成没有局限于单一器件的供应，而是构建了覆盖“功率器件+隔离驱动+MCU+磁器件”的一站式代工方案，这一方案能够覆盖服务器电源50%以上的BOM成本，显著增强了客户黏性。技术层面，公司的55nm BCD工艺平台和碳化硅G2.0技术成功导入AI服务器电源客户。
数据显示，2025年公司AI相关业务收入占比已达8.02%，公司预计该比例将在2026年突破10%，成为公司增长的核心驱动力。同时，公司与超聚变（豫信电科旗下）设立联合实验室，深度绑定AI服务器硬件设计与芯片制造，进一步夯实了在该赛道的竞争优势。
在光电与具身智能领域，芯联集成的布局正从“点”状突破走向“面”状覆盖。公司与星宇股份、九峰山实验室合作，布局MicroLED智能光科技研发与制造项目，涵盖车载照明、AR-HUD及光通信领域，开拓了新的应用空间。在具身智能赛道，公司的芯片产品已导入超过10家人形机器人及非人形机器人客户，涵盖了语音交互（高性能麦克风）、环境感知（激光雷达芯片）和运动控制（驱动芯片）等核心环节，相关订单规模已达千万元级，成功卡位未来产业入口。
工艺平台进化与研发投入——夯实技术护城河
业务的快速拓展离不开底层技术的坚实支撑，芯联集成在持续开疆拓土的同时，持续加码核心工艺平台的研发创新，构筑起难以复制的技术壁垒。
2025年，芯联集成从单一晶圆代工向“一站式系统代工”的战略升维获得进一步深化落地，核心工艺平台实现三重大突破。
首先是碳化硅（SiC）领域的代际领先。公司第四代SiC MOSFET芯片开发完成，并将于第二季度量产，更关键的是国内首条8英寸碳化硅产线实现量产出货。相比行业主流的6英寸产线，8英寸产线能大幅降低芯片成本并提升产能，是芯联集成在成本与性能上领先于竞争对手的核心资产。基于此产线，公司650V—3300V全电压平台产品覆盖汽车主驱与AI数据中心电源两大高增长赛道，实现了从跟随到领跑的跨越。
其次是车规级高压BCD确立了技术制高点。公司拥有从0.18um到55nm的完整工艺平台，第二代90nm BCD平台已开发完成，55nm MCU平台开发完成，40nm MCU平台预计于2026年下半年进入量产阶段，能够完美适配汽车电子从分布式向域控制演进的需求。特别是针对48V系统和800V高压平台推出的BCD120V及SOI BCD 200V工艺，精准解决了SiC器件驱动的痛点。
第三是MEMS与GaN的全面布局。在MEMS市场，公司继续保持国内规模最大、技术最先进的代工厂地位，第三代麦克风进入量产，第四代通过初步验证；车载和消费类多轴运动传感器实现规模量产；激光雷达VCSEL芯片实现规模量产。同时，在GaN（氮化镓）领域，公司已加大研发力度，8英寸GaN功率器件芯片研发量产线已于2025年Q3通线，正在针对AI数据中心电源和新能源汽车进行送样验证与导入，进一步完善了第三代半导体的技术拼图。
上述突破的背后，高研发投入是重要支撑。2025年公司研发费用同比增长5.5%至19.43亿元，研发费用率保持在23.76%的高位；截至2025年末，公司累计申请专利1312项，累计获得专利574项，核心技术涵盖硅基功率、碳化硅、BCD工艺及MEMS传感器等领域，构建了严密的知识产权壁垒。
乘势行业上行周期，2026锁定百亿营收与盈利拐点
站在2026年的新起点上，芯联集成展现出了前所未有的信心。管理层明确表示，2026年将是公司实现“有厚度”盈利转正的关键之年，并吹响了营收超100亿元的冲锋号。
这一宏伟目标的底气，首先来自于AI业务的爆发式增长。随着GTC 2026引爆推理时代，AI服务器电源需求将持续井喷，预计2026年AI业务收入占比将超过10%，成为公司重要的增长极。其次，公司在汽车、工控、消费等领域的布局同步发力。第三，行业周期红利向公司倾斜，2026年硅基功率器件（MOSFET/IGBT）进入景气上行通道，特别是8英寸晶圆代工价格坚挺，将直接增厚公司的利润空间。
不仅如此，公司自身的产品结构优化也将提供持续动力，随着模拟IC、SiC及系统模组等高毛利业务占比的持续提升，叠加行业周期景气上行，从2026年Q1起，公司的业绩将发生质的飞跃，力争全年归母净利润转正，芯联集成正站在业绩腾飞的新起点。
