【应用方案】旗舰影像升级新答案,艾为长焦增距镜方案让山顶也是VIP!

来源:艾为之家 #艾为电子#
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近年来,旗舰手机为追求高画质不断堆砌大底传感器和多摄模组,导致机身厚度激增(如小米15 Ultra因长焦模组妥协厚度),同时,其由算法主导的计算摄影虽提升了便捷性,但过度修饰引发用户对“真实光学质感”的怀念。用户对“轻薄手感”与“专业影像”的双重需求催生了新解决方案——通过磁吸长焦增距镜实现硬件扩展,避免机身过度臃肿。长焦增距镜提供纯物理光学增强,满足专业用户对光影真实性的追求。

下图是艾为电子推出的长焦增距镜解决方案:



图1 长焦增距镜应用框图

外置镜头一般镜头重,防抖/对焦行程远,需要用到马达驱动芯片,艾为自2020年推出VCM马达驱动IC以来,OIS/AF控制方案便备受赞誉,成为众多海内外主流厂商VCM马达控制的优选方案。

艾为电子推出高精度、三通道驱动AW86068CSR来满足长焦增距镜防抖/对焦控制应用:

  • 64KByte Flash Memory

  • 32KByte SRAM 提供SDK,支持客户二次开发,也支持Awinic控制方案集成

  • 12.5MHz I3C 高速通信接口 

  • 3x16bit 高精度ADC

  • VM=1.5V to 3.6V 支持动态调压

  • WLCSP3.555mmx1.255mmx0.3mm-27B 


图2 AW86068CSR典型应用原理图

在长焦增距镜解决方案中,往往存在大行程的AF轴,可以适配我司长行程,高压版本的闭环控制芯片AW86026HCSR:

  • 1.7V to 5.25V 动态调压

  • 集成Awinic 2rd+ 高性能闭环控制算法,具备电子阻尼,SmartHolding等特性

  • 集成高精度hall sensor 

  • 默认 ±300mA 驱动电流

  • 16bit 高精度ADC

  • WLCSP1.5mmx0.86mmx0.265mm-6B

图3 AW86026HCSR典型应用原理图

在 Camera ZOOM 应用中,AWD86307DNR 直流马达芯片用于驱动变焦直流电机,通过 PWM 与电流控制实现平滑启停、快速响应和低噪声变焦;

AW86426FBR 步进马达芯片用于驱动变焦或对焦步进电机,支持细分控制与精准定位,保证镜头位置稳定、重复精度高。

AW86307DNR特性:

  • VDD电压范围:0V - 12V

  • VCC电压范围:1.8V~5.5V

  • RDSON HS + LS:950mΩ

  • 最大电流输出:1.1A 

  • 最大值睡眠电流:120nA

  • 独立控制的nSLEEP脚

  • 短路保护

  • 过温保护

  • 欠压锁定保护

  • 封装DFN 2mm*2mm*0.75mm-8L  

图4 AW86307DNR典型应用原理图

AW86426FBR特性:

  • 工作电压: DC3.0V~DC12V 

  • 最大驱动电流:1.1A;

  • 超小封装:FCBGA 2.4mm X2mm X0.59mm-30B package

  • Rdson HS+LS:典型值0.95Ω;

  • 最高支持1/32微步;

  • 支持的衰减模式:

自适应衰减模式

混合衰减

慢衰减

快衰减

  • 可编程的过流关断时间:

10μS off-time

20μS off-time

30μS off-time

  • 可编程的电机扭矩

  • 短路保护、过温保护和低压保护

  • 故障状况指示

图5 AW86426FBR典型应用原理图

同时,为了匹配我司的动态调压方案,可以采用我司专门为VCM动态调压推出的AWP37702CSR:

  • 输入电压范围:2.2V ~ 5.5V

  • 输出电压范围:1.4V ~ 4.575V

  • 超低静态电流:2.8μA

  • 超低关断电流:0.3μA

  • 支持动态电压调节控制(斜率:2V/ms, 5V/ms, 10V/ms, 20V/ms)

  • 自动选择 PFM 模式和强制 PWM 模式

  • 高达 1MHz 的 I2C 接口(I2C 支持 1.2V I/O 电平)

  • 最大连续输出电流:

VIN ≥ 2.2V, VOUT = 3.5V 时,IOUT最高可达 0.8A

VIN ≥ 2.5V, VOUT = 3.5V 时,IOUT最高可达 1A

VIN ≥ 3.3V, VOUT = 3.5V 时,IOUT最高可达 1.5A

  • 封装:WLCSP 1.3mmX1.3mm-9B 

图6 AWP37702CSR封装信息

另外,在供电与电池管理模块采用Awinic产品多层防护设计:AW37030D110EDNR LDO 芯片提供 300mA 高性能稳压输出,为核心器件供电;AW33901FCR 过压保护芯片以 30mΩ 低内阻和 50ns 快速关断特性,保护下游电路。

如下是部分芯片选型表,更多芯片请上艾为电子官网查询。

表1 物料选型表

责编: 爱集微
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