1.Gartner：2025年全球半导体市场规模达7930亿美元，英伟达领跑，英特尔份额缩减至6%；
2.机构：2026年8英寸晶圆代工产能利用率增长，厂商涨价；
3.艾为推出高防护高带宽小型化Type-C接口保护新品；
4.台积电将大幅增加在美投资 再建至少五座芯片工厂；
1.Gartner：2025年全球半导体市场规模达7930亿美元，英伟达领跑，英特尔份额缩减至6%；
根据市场调查机构Gartner发布的初步统计数据，2025年全球半导体市场营收总额达7930亿美元，同比增长21%。
其中，人工智能（AI）相关半导体（包括处理器、高带宽内存HBM及网络组件）成为核心增长引擎，贡献了近三分之一的销售额，且预计到2026年AI基础设施支出将突破1.3万亿美元。
从厂商排名来看，在2025年全球十大半导体供应商排名中，五家企业位次较2024年发生变化。
英伟达以1257亿美元营收首次突破千亿美元大关，较2024年增长63.9%，市场份额达15.8%，领先第二名三星电子530亿美元，并贡献了行业超35%的增长。三星电子以725亿美元营收位列第二，其存储业务营收同比增长13%，但非存储业务下降8%。SK海力士凭借AI服务器对HBM的强劲需求，以606亿美元营收升至第三，同比增长37.2%。
英特尔市场份额从2021年的12%缩减至2025年的6%，营收同比下降3.9%至479亿美元，排名第四。美光科技以50.2%的增速（营收415亿美元）升至第五，高通（370亿美元，+12.3%）和博通（343亿美元，+23.3%）分列第六、七位。AMD营收增长34.6%至325亿美元，位列第八；苹果（246亿美元，+19.9%）和联发科（185亿美元，+15.9%）分居第九、十名。
Gartner指出，人工智能基础设施的建设正在催生对人工智能处理器、HBM和网络芯片的强劲需求。2025年，HBM占DRAM市场的23%，销售额超过300亿美元，而人工智能处理器的销售额超过2000亿美元。预计到2029年，人工智能半导体将占半导体总销售额的50%以上。（校对/赵月）
2.机构：2026年8英寸晶圆代工产能利用率增长，厂商涨价；
1月13日，市调机构TrendForce在报告中指出，近期在台积电、三星两大厂逐步减产的背景下，AI相关电源管理芯片需求稳健增长，加上消费产品担忧下半年IC成本提高、产能遭排挤而提前备货，除了陆系晶圆厂8英寸产能利用率自2025年已先回升至高水平，其他区域厂商也已接获客户上修2026年订单，产能利用率同样上调，代工厂因此积极酝酿涨价。
TrendForce表示，台积电已于2025年正式开始逐步减少8英寸产能，目标于2027年部分厂区全面停产。三星同样于2025年启动8英寸减产，态度更加积极。TrendForce预期，2025年全球8英寸产能将因此年减约0.3%，正式进入负增长局面。2026年尽管中芯国际、世界先进等厂商计划小幅扩产，仍不及两大厂减产幅度，预估产能年减程度将扩大至2.4%。
该机构称，部分晶圆厂看好2026年8英寸产能将转为吃紧，已通知客户将调涨代工价格5-20%不等。TrendForce表示，与2025年仅针对部分旧制程或技术平台客户补涨不同，此次为不分客户、不分制程平台的全面调价。然而，基于消费终端隐忧，以及存储与先进制程涨价挤压週边IC成本等因素，8英寸晶圆价格的实际涨幅可能较为收敛。（校对/李梅）
3.艾为推出高防护高带宽小型化Type-C接口保护新品；
Type-C接口作为近年来普及的新型数据传输与充电接口，凭借可逆插拔、高速传输、快速充电、小巧易集成等优势，已成为智能手机、智能支付设备、可穿戴设备等领域的标配。然而，其物理尺寸限制和电气特性导致连接可靠性面临挑战：
管脚间距小易引发ESD（静电放电）和浪涌冲击，造成电流失效；灰尘积累、温湿度变化或机械振动可能引发USB2.0 DPDM信号与Vbus/GND短路，威胁后级电路安全。针对这些痛点，数模集成电路龙头艾为电子推出AWP35631和AW35752D系列芯片，通过集成高鲁棒性防护、高带宽信号保持及小型化封装技术，为Type-C接口提供系统性解决方案。
在半导体防护层面，AWP35631和AW35752D系列芯片集成8kV接触ESD防护、40V以上浪涌保护及快速过压保护能力。当发生+50V浪涌时，芯片可在500ns内将信号输出电压钳位至6.6V以下，有效避免后级电路损坏。其防护性能通过优化半导体材料与电路设计实现，例如采用低电容ESD保护结构，在保证防护等级的同时减少信号衰减。
芯片设计突破了传统高防护与高带宽的矛盾。市面上多数产品通过增大芯片面积提升ESD和浪涌能力，但会导致输入端口Con（等效电容）和Ron（导通电阻）偏大，引发USB2高速模式下的插损增加和通信丢包。艾为电子凭借多年USB2保护开关技术积累，在AWP35631中实现1.4GHz差分带宽（-3dB）和3Ω典型导通电阻，确保信号完整性的同时满足防护需求。其核心在于采用低插损半导体工艺和优化版图布局，平衡了防护性能与信号传输效率。
针对智能设备对芯片尺寸的严苛要求，艾为电子推出DFN1.5×1.0×0.55mm超小型封装AWP35631FDR，厚度较行业平均水平降低30%，特别适用于折叠屏手机和智能穿戴设备。该封装通过垂直堆叠技术和微米级引脚间距设计，在有限空间内集成多路保护电路，同时保持散热性能和机械可靠性。
在典型应用中，AWP35631FDR与AW35752AQNR组合可实现智能手机Type-C接口的DPDM保护、DP投屏SBU保护及极性切换；AW35752D通过OEB引脚控制实现双USB2端口切换，满足智能支付设备单主控多接口需求；在行业PC领域，该芯片可通过物理断开USB2通道实现硬件级数据隔离，满足党政、金融等场景的安全要求。
技术参数方面，AWP35631支持1.2GHz单端/1.4GHz差分带宽，提供5.1V典型过压保护和36V DC端口保护，导通电阻3Ω，输入电容4pF，静态电流32μA，工作电压范围1.65V至5.5V。其封装兼容自动化贴装工艺，支持高速信号传输场景下的长期可靠性。
艾为电子通过半导体工艺创新与系统级设计，解决了Type-C接口在防护性能、信号完整性和空间限制之间的矛盾。其芯片方案已通过多领域验证，为智能设备接口保护提供了高集成度、高可靠性的半导体解决方案。
4.台积电将大幅增加在美投资 再建至少五座芯片工厂；
台积电
北京时间1月13日，据《纽约时报》报道，作为美国与中国台湾地区贸易协议的一部分，台积电将大幅增加在美投资，包括建设更多芯片工厂。
知情人士称，作为协议的一部分，台积电还将承诺在亚利桑那州再建设至少五座晶圆厂，这将使其在该州的工厂数量增加近一倍。相关投资的时间表目前尚不明确。
2020年以来，台积电已在亚利桑那州建成了一座工厂。第二座正在建设中，预计将于2028年投产。台积电之前已承诺在未来几年再建设四座工厂。现在，台积电同意再新建至少五座工厂。
另据《华尔街日报》报道，新规划的亚利桑那州工厂将生产逻辑芯片，即由英伟达、AMD等台积电主要客户设计、用于AI及其他先进计算的处理器。台积电还承诺建设两座新的工厂，用于生产被称为“封装芯片”的半导体产品，负责提供支持性功能。
截至发稿，台积电发言人拒绝对此置评。凤凰网
