近日，兆易创新高管在2025年第三季度业绩说明会上表示，公司利基型DRAM产品量价齐升，公司今年新量产的DDR4 8Gb较快抢占份额，进入第三季度销量已经与DDR4 4Gb基本相当。明年公司将实现自研LPDDR4X系列产品的量产，并着手规划LPDDR5X小容量产品的研发。
在Flash方面，同样受益于存储周期的改善，源于在AI基建中，对NAND Flash有源源不断的需求。NAND Flash主要用于存储温数据及冷数据，存储数据量巨大，同时擦写次数相对有限，对NAND Flash的需求量在不断加大。
“海外大厂都在将重心从2DNAND向3D NAND迁移，从而带来2D NAND相对明显的短缺。在此背景下，公司的SLC NAND产品开始涨价。”兆易创新表示，公司NAND Flash产品属于SLC NAND，在消费电子、工业、汽车电子、通讯等领域已经实现了全品类的产品覆盖。目前部分海外大厂正在将经营重心转向3D NAND、淡出2D NAND，相应造成了2D NAND供给短缺的局面，未来公司将在2D NAND领域研发更高存储密度的产品，但公司并无3D NAND的产品规划。
NOR Flash已经处于相对成熟发展阶段，行业的增长主要来源于代码量的提升，当前端侧AI的发展进一步推动NOR Flash容量需求的提升，近期三方咨询机构已经把行业CAGR从5~7%上调至8%。据透露，NOR Flash也处于为温和涨价周期中，源于产能端的紧缺，兆易创新顺应市场需求变化对价格做出适当调整，9月开始陆续落地。
此外，利基型DRAM市场呈现明显的供不应求现象，兆易创新表示，初步预计涨价趋势在未来的两个季度有望得以延续，并在明年后续几个季度维持相对较高的价格水平。
多年来，兆易创新共对长鑫科技累计总投资金额23亿。兆易创新与长鑫科技开展业务合作，长鑫科技的良好发展为公司利基DRAM产品提供较好的产能支持。兆易创新高管表示，展望未来5年，对于国内30~40亿美金的利基DRAM市场，我们的目标仍是取得至少三分之一的份额。
兆易创新还表示，公司定制化存储解决方案进展顺利，进入年末，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。长期来看，我们坚信这一技术路线在端侧AI会得到广泛应用，在AI大发展的时代，定制化存储的市场空间潜力非常大。在这一领域，公司凭借自身的研发实力和先发优势，有望占据重要地位。
