ESG是环境（Environmental）、社会（Social）和治理（Governance）的缩写。它要求企业在关注经济效益的同时，还应重视在环境保护、社会责任和公司治理方面的表现。随着全球社会对气候变化、公司治理等问题的日益关注，ESG已经成为衡量企业可持续发展的重要标准，有越来越多半导体公司开始重视在ESG事业上的发展。近日，罗姆公司举办“2025北京媒体交流会”，分享了罗姆的ESG事业以及“Power Eco Family”系列相关信息。
ESG理念：用电子技术优势解决社会挑战
会上，罗姆公司功率元器件事业部应用战略室课长水原德健指出，当今社会，自然灾害、资源枯竭，以及伴随人口不断增长出现的少子化、高龄化等问题越来越严重。对于企业来说，在解决社会课题的同时，还应助力实现社会的可持续发展。在这样的背景下，罗姆提出了“Electronics for the Future”的口号，即“用电子技术优势来解决各种社会问题，并面向未来，持之以恒地为人们丰富多彩的生活和社会的发展与进步提供支持。”
相关数据反映了当前人类社会面临的严峻挑战。世界气象组织确认2024年为史上最热年，全球平均气温比工业化前（1850年至1900年）平均水平高出约1.55℃，首次突破了2015年《巴黎协定》所设定的“1.5℃”温控目标。全球荒漠化面积达到了3600万平方公里，占到整个地球陆地面积的1/4，资源枯竭成为人们面临的重要挑战。与此同时，人口问题不断凸显，预计2050年全球总人口将超过97亿。而人口老龄化趋势则不断加剧，预计到2050年，全球65岁以上的老年人口将达到16亿，占总人口的16%。
半导体技术在保护环境、促进社会治理上可以发挥重要作用。比如在清洁能源领域，半导体材料是光伏发电的核心组成。半导体器件可被用于智能电网、数据中心、智能建筑等诸多领域，实现对能源的有效管理和利用，进而降低设备能耗。传感技术可以应用在健康监测设备当中，如可穿戴设备、远程医疗设备等，为人们提供更加便捷和准确的健康监测手段，有助于老龄人口照顾、疾病的早期发现和预防等方面。
罗姆公司在2020年制定了“专注于功率电子和模拟技术，助力客户实现产品的‘节能’和‘小型化’，进而为解决社会课题作出贡献”这一经营愿景。当今，电机和电源占全球电力消耗量的大半。电机和电源等的效率改善，是半导体技术促进环保节能有效实践。对罗姆来说也是一项重大使命。罗姆希望通过提供节能和小型化的产品，为解决社会问题做贡献，并实现自身的可持续发展。
为此，罗姆提出了在2030财年成为“全球业内主要企业”这一目标，具体包括：1. 成为社会和全球客户不可或缺的公司；2. 确立“擅长功率电子和模拟技术的罗姆”这一品牌形象；3. 功率半导体和模拟半导体销售额达到1万亿日元，进入全球前十。
目前，罗姆集团正在推进2021财年至2025财年的五年中期经营计划“MOVING FORWARD to 2025”，即“实现在车载领域和海外的增长，并为进一步增长奠定基础”。根据企业理念和经营愿景，通过业务活动加快为社会做贡献的步伐。
两个发力方向：节能化与小型化
那么，面对上述课题，罗姆将通过哪些具体的产品和技术方案解决问题？根据水原德健的介绍，罗姆主要将在两个层面重点发力：一是节能方面，二是小型化方面。针对“向无碳社会转型、有效利用有限的能源和资源”这一社会课题，罗姆的举措是，开发有助于进一步节能的功率元器件和模拟元器件。通过提供包括SiC产品在内的功率元器件和模拟元器件，为解决全球能源问题做出贡献。比如基于SiC（碳化硅）推出创新型的功率元器件，基于Si（硅）、GaN（氮化镓）等推出满足不同应用产品需求的材料和元器件结构。
罗姆在SiC功率半导体的研发和产品化方面一直走在时代前列。SiC器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。2010年罗姆在全球首家开始量产SiC MOSFET，目前SiC MOSFET已更新迭代到第4代。与第3代产品相比，导通电阻可降低约40%，开关损耗可降低约50%。罗姆计划于2025年推出第5代SiC MOSFET，相比第4代产品，导通电阻将降低约30%。同时，罗姆还提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。后续将推出的第6代产品，和第5代相比，导通电阻还可以降低约30%。2022年，罗姆“开发8英寸新一代SiC MOSFET”已入选NEDO绿色创新基金项目。
同时，罗姆还实现了SiC覆盖率100%的产品形式。自2009年收购德国SiC晶圆厂商SiCrystal公司以来，罗姆构筑了从SiC衬底外延晶圆到封装的“一条龙”生产体制，目前已实现了以裸芯片、分立器件和模块等各种形态向半导体制造商、模块厂商、Tier1厂商以及应用产品制造商供货，从而促进SiC的普及，为实现可持续发展社会做出贡献。
目前，罗姆还在不断加强生产体系建设，致力于推进8英寸晶圆及先进设备带来的生产效率提升，在性能、品质和稳定供货上，实现与同行业其他公司的差别化。罗姆计划到2030财年SiC产能将比2021财年提升35倍。在SiC业务领域，罗姆已经脱离了此前供需紧张的状态，2024年开始试运营的宫崎第二工厂现已做好稳定供应的准备，将于2025年开始正式运营，并根据未来的需求增长情况逐步扩大产能。另外，向8英寸SiC MOSFET的转型也进展顺利。通过以上发展战略，在2026~2027财年罗姆将实现SiC业务1100亿日元（55.38亿元人民币）以上的销售额目标。
在小型化方面，罗姆通过元器件的小型化减少原材料的使用量。通过开发基于创新技术的超小型“RASMID”系列等小型元器件并投入市场，解决资源问题。近两年罗姆推出的具有代表性的小型化产品主要包括：有助于服务器小型化的EcoGaN™ Power Stage IC，通过取代Si MOSFET，可使器件体积减小约99%，功率损耗减少约55%；有助于xEV逆变器小型化的“TRCDRIVE pack™”产品，该款新型二合一SiC塑封型模块的功率密度是以往产品的1.5倍，可解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等。
四大产品系列：不断创新和优化
在以实现碳中和为目标的过程中，罗姆推出了“Power Eco Family”功率半导体品牌。品牌包括EcoSiC™、EcoGaN™、EcoMOS™和EcoIGBT™四大产品群。其中，新一代半导体SiC元器件EcoSiC™覆盖需要超高耐压和高速开关的领域；GaN器件EcoGaN™则覆盖需要超高速开关的领域；EcoMOS™和EcoIGBT™适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用。
EcoIGBT™是罗姆在2024年推出的1200V IGBT。它是罗姆的第4代IGBT产品，实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力，损耗比普通产品低约24%，比前代产品低约35%，有助于车载电动压缩机和工业设备逆变器等效率提升。
EcoMOS™是实现了高速开关和低导通电阻的超级结MOSFET。罗姆有低噪声和高速开关两类产品。其中，600V耐压超级结 MOSFET“R60xxRNx”系列，实现了业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间，“R60xxVNx”系列，实现了业界超快反向恢复时间和超低导通电阻。
EcoSiC™和EcoGaN™前文已有介绍。值得一提的是，吉利的高端电动汽车品牌“极氪”3种主力车型的主机逆变器采用了罗姆EcoSiC™系列第4代SiC MOSFET裸片。EcoGaN™系列650V GaN器件被台达电子Innergie 品牌的45W输出AC适配器 “C4 Duo” 采用。
无论是基于传统硅材料的EcoMOS™和EcoIGBT™，还是基于新型宽禁带半导体材料的EcoSiC™和EcoGaN™，罗姆都在不断创新和优化，以满足市场对高性能、高可靠性功率半导体器件的需求，为构建可持续的应用生态系统贡献力量。
