三星冲HBM 暗示携手台积…寻求高频宽存储器领域合作

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韩国科技巨头三星昨(31)日举行财报会议,释出上季半导体业绩不如市场预期,调降其晶圆代工资本支出等讯息,仅AI相关市场发展与公司布局让市场惊艳,三星并暗示可能与台积电(2330)在高频宽存储器(HBM)协调合作,以满足多家客户不同需求。

法人指出,目前台积电高频宽存储器最主要合作伙伴为另一家韩国存储器大厂SK海力士,若三星也加入相关合作,对台积电冲刺AI等高速运算事业将有正面助益,持续带旺台积电营运。

三星昨天公布上季整体营业利益比去年同期激增277.4%至9.2兆韩元(66.6亿美元),略高于本月初初估的9.1兆韩元,营收也成长17.3%至创纪录的79.09兆韩元。不过,上季芯片部门营业利益季比下滑40.2%、降至3.86兆韩元(28亿美元),营收季增3%至29.27兆韩元,皆低于预期。

三星表示,已从高频宽存储器、DDR5及伺服器储存产品获得“庞大营收成长”。预期本季半导体事业表现将好转,尽管行动和PC存储器芯片需求可能疲软,AI成长将维持需求在热络水准,预测消费电子产品市况仍将相当平淡,AI和资料中心需求将维持强劲,伺服器存储器产品需求到明年都将“强劲且稳定”,包括AI和传统伺服器。

三星存储器事业主管金在俊表示,将弹性减产部分传统DRAM和NAND芯片到符合市场需求的水准,以加速转换到先进制程节点。

三星预定下半年开发并量产HBM4,明年存储器部门将聚焦于高频宽存储器和伺服器固态硬碟(SSD),暗示可能和台积电协调合作,以满足多家高频宽存储器客户的不同需求。

三星主管也暗示,HBM3E芯片在赢得辉达(NVIDIA)认证方面“大有进展”,预期第4季将向客户销售。

三星并发布新闻稿指出,预料在AI PC和AI应用带动下,明年整体晶圆代工市场将双位数成长,但该公司未提供其晶圆代工事业的成长预估。

三星在新闻稿提到,晶圆代工业务明年寄望成功的2奈米量产来确保主要客户。 此外,整合先进的制程节点和先进封装解决方案以进一步开发HBM Buffer die(缓冲裸晶)有助获得人工智能和高速运算(HPC)新客户。

三星提到,今年资本支出将比去年略增3.6兆韩元、达56.7兆韩元,芯片资本支出预料为47.9兆韩元(347亿美元),略低于去年,主要是缩减今年晶圆代工资本支出,集中于现有产线的技术转变。今年存储器资本支出则将与去年相同,优先投入高频宽存储器和DDR5等高附加价值产品。

相较下,台积电今年资本支出将略高于300亿美元。彭博资讯指出,三星今年资本支出只略高于台积电,引人怀疑如何同时在高频宽存储器赶上SK海力士、在晶圆代工追赶台积电。

责编: 爱集微
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