台积电（TSMC）在2nm制程节点将首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，另外N2工艺还能搭配NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了灵活的标准元件。与现有的N3E工艺相比，预计N2工艺相同功率下性能会有10%到15%的提升，或者相同频率下功耗会下降25%到30%，同时晶体管密度将提升15%。
据相关媒体报道，台积电每片300mm的2nm晶圆的价格可能超过3万美元，高于之前预期的2.5万美元。相比之下，目前3nm晶圆的价格大概在1.85万至2万美元，而4/5nm晶圆的价格在1.5到1.6万美元之间，无论如何，可以预见2nm晶圆的价格会有大幅度的提升。值得注意的是，台积电的订单报价包含多种因素，和具体的客户以及订单量有关，部分客户可能会有些优惠，3万美元是一个较为粗略的数字。
为了应对市场对2nm工艺技术的强劲需求，台积电持续对该制程节点进行投资，2nm晶圆厂将分布在中国台湾的北部（新竹宝山）、中部（台中中科）和南部（高雄楠梓）。新工艺将增加EUV光刻步骤，甚至有可能使用双重曝光，毫无疑问成本将高于3nm制程节点。
台积电计划N2工艺于2025年下半年进入批量生产阶段，客户最快在2026年前就能收到首批采用N2工艺制造的芯片，首个客户预计是苹果。
