市场传出，三星电子暂缓平泽P4晶圆代工产能扩充，并将专注NAND Flash与高频宽存储器（HBM）生产。
三星电子先前已决定暂停在平泽P4工厂建设第二期晶圆代工生产线。至于NAND Flash的P4一期产线预计近期投产，外传三期产线目前正在建设中，预计中秋节后将正式安装电力等设备。
此外，业界传出，三星晶圆代工美国德州泰勒工厂的设备投资也将会再延迟一个季度。
外界认为，三星全球晶圆代工厂投资建设计划面临比最初预期更多的延迟。主要担忧源于三星不确定其先进制程能否在由台积电（2330）等行业领导者主导的激烈竞争市场中竞争，这一挑战促使三星修改计划，延迟晶圆代工厂的建设和设备采购。
三星扩建中的主要晶圆代工项目包含南韩的P4工厂和美国德州泰勒工厂，这些工厂最初旨在处理先进工艺节点的量产，包括4nm、3nm甚至2nm技术。
在南韩方面，依据三星原先规划，平泽 P4 工厂2022 年开始建设，最初设计为与 P3 工厂类似的多用途设施。第一阶段生产 NAND Flash，第二阶段用于晶圆代工生产，第三和第四阶段用于生产 DRAM。
不过，由于市况变化，三星传出后续将第二阶段晶圆代工产线转为HBM与NAND Flash生产。
业界说，三星对P4工厂的原计划是先建设存储器产线（一期），再建设晶圆代工产线（二期），后续计划再建设存储器产线（三期与四期）以完成P4工厂。但传出该公司已调整计划优先建设存储器产线。
