三星电子暂缓晶圆代工产能扩充,专注NAND Flash与HBM生产

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市场传出,三星电子暂缓平泽P4晶圆代工产能扩充,并将专注NAND Flash与高频宽存储器(HBM)生产。

三星电子先前已决定暂停在平泽P4工厂建设第二期晶圆代工生产线。至于NAND Flash的P4一期产线预计近期投产,外传三期产线目前正在建设中,预计中秋节后将正式安装电力等设备。

此外,业界传出,三星晶圆代工美国德州泰勒工厂的设备投资也将会再延迟一个季度。

外界认为,三星全球晶圆代工厂投资建设计划面临比最初预期更多的延迟。主要担忧源于三星不确定其先进制程能否在由台积电(2330)等行业领导者主导的激烈竞争市场中竞争,这一挑战促使三星修改计划,延迟晶圆代工厂的建设和设备采购。

三星扩建中的主要晶圆代工项目包含南韩的P4工厂和美国德州泰勒工厂,这些工厂最初旨在处理先进工艺节点的量产,包括4nm、3nm甚至2nm技术。

在南韩方面,依据三星原先规划,平泽 P4 工厂2022 年开始建设,最初设计为与 P3 工厂类似的多用途设施。第一阶段生产 NAND Flash,第二阶段用于晶圆代工生产,第三和第四阶段用于生产 DRAM。

不过,由于市况变化,三星传出后续将第二阶段晶圆代工产线转为HBM与NAND Flash生产。

业界说,三星对P4工厂的原计划是先建设存储器产线(一期),再建设晶圆代工产线(二期),后续计划再建设存储器产线(三期与四期)以完成P4工厂。但传出该公司已调整计划优先建设存储器产线。

 

责编: 邓文标
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