据产业人士称，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会近日发布新闻稿，表示HBM4标准即将定稿，在更高的带宽、更低的功耗、增加裸晶/堆栈性能之外，还进一步提高数据处理速率。
HBM4 将指定 24 Gb 和 32Gb 层，并提供 4-high、8-high、12-high 和 16-high TSV 堆栈，委员会已初步同意最高 6.4 Gbps 的速度，并正在讨论更高的频率。
相比较 HBM3，HBM4 的每个堆栈通道数增加了一倍，物理尺寸更大。
国金证券樊志远表示，HBM解决了传统GDDR遇到的“内存墙”问题，采用了存算一体的近存计算架构，通过中间介质层紧凑快速地连接信号处理器芯片，极大节省了数据传输的时间与耗能，HBM采用堆栈技术较传统GDDR节省较大空间占用。综合来看，高带宽、低功耗、高效传输等性能使其成为高算力芯片的首选。
据悉，2023年全球HBM产值约43.6亿美元，2024年有望翻4倍达到169亿美元。
值得一提是，全球前三大存储器厂SK海力士、三星及美光，正积极投入高频宽存储器（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，同比增105％。
