三井化学将量产光掩模防护膜新品,支持ASML下一代EUV光刻机

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日本三井化学日前宣布,即将开始量产用于最尖端光刻机的光掩模防护膜新品,以应对尖端半导体需求的增长。三井化学计划在山口县岩国大竹工厂内设置生产线,生产该公司“Pellicle”系列最新一代产品,可支持ASML下一代EUV光刻机。

据了解,光掩模防尘薄膜(pellicle)用于保护光掩模的清洁,需要高透光率以及长寿命。三井化学2023年与比利时微电子研究中心(imec)合作,将共同推进EUV碳纳米管光掩模薄膜(pellicle)技术商业化。

该产品预计年生产能力为5000张,生产线预计于2025年12月完工,但三井化学未透露投资金额。

采用碳纳米管(CNT)材料制造的薄膜,与以往产品相比,提高了强度和光的透射率,具有极高的EUV透光率(≥94%)。此外,碳纳米管颗粒还能够承受超过1kW的EUV功率,从而满足未来新一代光刻机的需求。

据了解,三井化学于1984年推出Pellicle光掩模防护膜,全球份额居首;在2022年从竞争对手旭化成取得相关业务后,三井化学几乎垄断了这类尖端产品市场。

(校对/孙乐)

责编: 张杰
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