芯和半导体“一种高密度电容板的建模方法、装置、设备及介质”专利公布

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天眼查显示,芯和半导体科技(上海)股份有限公司“一种高密度电容板的建模方法、装置、设备及介质”专利公布,申请公布日为2024年5月14日,申请公布号为CN118036112A。

本申请公开了一种高密度电容板的建模方法、装置、设备及介质,包括以下步骤:根据用户输入的建模参数,调取预建立的工艺模板库中的电容板模板;根据所述建模参数分别计算得到所述电容板模板的金属层参数、触点参数、通孔参数和顶层通孔参数;根据所述电容板模板、所述金属层参数、所述触点参数、所述通孔参数和所述顶层通孔参数建立目标电容板模型。本申请的技术方案提高了建模效率,便于用户快速准确的建立高密度电容板模型。

责编: 赵碧莹
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