【创新】北方华创“半导体设备及其晶舟”专利公布；长鑫存储半导体结构相关专利公布；华为显示驱动方法专利公布

1.北方华创“半导体设备及其晶舟”专利公布

2.长鑫存储“半导体结构及其读写控制方法和制造方法”专利公布

3.华为“驱动芯片在显示设备中的配置方案、显示设备”专利公布

4.无锡华润上华“半导体器件结构及其加工方法”专利公布

5.韬盛科技“半导体芯片测试装置及其制作方法”专利获授权

6.北方华创“一种用于半导体装置的开盖机构及半导体设备”专利获授权

1.北方华创“半导体设备及其晶舟”专利公布

集微网消息，天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司“半导体设备及其晶舟”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832112A。

本申请公开了一种半导体设备及其晶舟，该半导体设备的晶舟包括：副晶舟支架，用于在批量半导体工艺处理进行到预设进度时，同样以上下层叠方式支撑起多个晶圆，来使多个晶圆暂时脱离主晶舟支架，及在主晶舟支架转动第一预设角度后，进行复位操作以使多个晶圆重新回到主晶舟支架，且每一晶圆与主晶舟支架之间的接触位置均发生改变后，再来完成批量半导体工艺处理的余下进度。本技术方案，可在半导体设备的工艺途中改变主晶舟支架与晶圆之间的接触位置，来避免出现晶边的局部薄膜缺失现象，以从根本上排除了半导体设备由此导致的颗粒污染的隐患，提升影响器件良率的同时，不会造成半导体设备对晶圆进行半导体工艺处理时的制程道数增加。

2.长鑫存储“半导体结构及其读写控制方法和制造方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，长鑫存储技术有限公司“半导体结构及其读写控制方法和制造方法”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832252A。

本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其读写控制方法和制造方法，半导体结构包括：基底以及位于基底上的数据线，数据线沿第一方向延伸；位于数据线上的第一晶体管和位于第一晶体管远离数据线的一侧的第二晶体管；其中，第一晶体管和第二晶体管中均包括：半导体柱，半导体柱位于数据线的部分顶面且沿第三方向延伸；半导体柱内部具有隔离结构，沿第二方向上，不同区域的隔离结构在第三方向上的厚度不同，且隔离结构贯穿半导体柱，第一方向、第二方向和第三方向两两相交。本公开实施例至少有利于在降低第一晶体管中的漏电流的同时，提高第二晶体管对第一晶体管中电流变化的感应灵敏度，以提高半导体结构的电学性能。

3.华为“驱动芯片在显示设备中的配置方案、显示设备”专利公布

集微网消息，天眼查显示，华为技术有限公司“驱动芯片在显示设备中的配置方案、显示设备”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117831476A。

本申请实施例提供一种驱动芯片在显示设备中的配置方案、显示设备，涉及显示技术领域，用于解决栅极驱动电路电源功耗较高的问题。驱动芯片包括耦接的第一升压电路和第一稳压电路；驱动芯片被配置为应用于低压或高压显示设备中，低压显示设备包括第一电路板、第一栅极驱动电路以及第一直通通路；第一电路板包括第一高压电源输入端、第一中压电源输入端以及第一低压电源输入端；第一栅极驱动电路的第一正电源电压小于第一高压电源输入端的第一高压电源电压；驱动芯片的配置方案包括：关闭第一升压电路。第一稳压电路通过第一直通通路直接接收第一高压电源输入端的第一高压电源电压，并对第一高压电源电压进行稳压处理后生成第一正电源电压后输出。

4.无锡华润上华“半导体器件结构及其加工方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，无锡华润上华科技有限公司“半导体器件结构及其加工方法”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832073A。

本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底；图案化所述基底，在所述基底的第一区域形成从所述基底的第一表面向基底内延伸的至少一沟槽，所述第一区域除各所述沟槽之外的位置残留有基底结构；各所述沟槽的深宽比均大于1/2，所述第一区域残留的所述基底结构的高宽比大于1/2；淀积目标材料填充各所述沟槽；通过光刻和刻蚀去除所述第一区域残留的所述基底结构；淀积所述目标材料填充所述去除的所述基底结构的位置。本发明能够通过两次淀积厚度较薄的淀积工艺，实现传统工艺所不具备的深度十几至上百微米的小深宽比的深槽填充，工艺较简单，成本较低。

5.韬盛科技“半导体芯片测试装置及其制作方法”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，苏州韬盛电子科技有限公司近日取得一项名为“半导体芯片测试装置及其制作方法”的专利，授权公告号为CN112213623B，授权公告日为2024年4月16日，申请日为2020年9月25日。

本发明公开了一种半导体芯片测试装置及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：将第一夹具与第二夹具相对设置，第一夹具与第二夹具之间形成容纳空腔，第一夹具、第二夹具上分别设有多个第一针孔，第一夹具、第二夹具的第一针孔相对应；使用多个阻挡件依次贯通第一夹具、第二夹具的多个相对应的第一针孔；在容纳空腔内灌入液态的绝缘材料，并固化成型；移除第一夹具、第二夹具及多个阻挡件，固化成型后的绝缘材料上形成有贯通的第二针孔，多个第二针孔与多个第一针孔相对应；在绝缘材料的多个第二针孔内灌入液态的导电材料，并固化成型形成半导体芯片测试装置。本发明的半导体芯片测试装置可满足高频测试的需求。

6.北方华创“一种用于半导体装置的开盖机构及半导体设备”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“一种用于半导体装置的开盖机构及半导体设备”的专利，授权公告号为CN112151421B，授权公告日为2024年4月16日，申请日为2020年9月25日。

本申请实施例提供一种用于半导体装置的开盖机构及半导体设备，开盖机构包括抬升组件和翻转组件，其中，所述翻转组件与所述半导体装置的上盖可旋转连接，所述抬升组件与所述半导体装置的装置主体固定，所述抬升组件能够驱动所述翻转组件带动所述半导体装置的上盖沿竖直方向运动并使所述半导体装置的上盖能够完全脱离所述半导体装置的装置主体。本申请实施例提供的用于半导体装置的开盖机构及半导体设备能够有效避免在开启上盖的过程中对上盖或半导体装置的装置主体可能造成的损害。