4月11日上午，南智先进光电集成技术研究院（简称“南智光电”）铌酸锂光子芯片产线启动仪式在新区举行。
南京江北新区消息显示，本次启用的产线，具备了光刻、刻蚀、镀膜、研抛、湿法等系列核心技术工艺。这意味着国内薄膜铌酸锂光子芯片产业化取得重要进展。产线配备3.5亿元规模设备、5000平方米超净间，覆盖了整个产业链的核心工艺，月产能一千片晶圆。
据悉，作为光电产业老前辈，祝世宁院士一直带领团队勇闯“无人区”，聚焦光电产业里的冷门赛道铌酸锂材料领域，坚持实现更多原创突破。2018年，在南京大学和南京江北新区支持下，祝世宁团队在新区产业技术研创园落地南智光电，并负责建设运营光电公共技术平台，瞄准下一代光电芯片技术在基础材料、器件工艺等方面的需求，开展研发工作。
未来，以铌酸锂光子芯片产线为基础，南智光电将能够面向国内外光电企业提供芯片研发及流片支持。（校对/韩秀荣）
