【创新】北方华创“刻蚀方法及半导体工艺设备”专利公布；飞骧科技射频专利获授权；华引芯公布电子束聚焦技术；华虹宏力半导体专利公布

1.北方华创“刻蚀方法及半导体工艺设备”专利公布

2.飞骧科技“射频功率放大电路及射频芯片”专利获授权

3.华虹宏力“半导体结构的形成方法”专利公布

4.大鱼半导体“一种通信设备组队方法及设备”专利公布

5.聚时科技“超分辨率图像转换模型训练、晶圆缺陷检测方法及装置”专利公布

6.华引芯公布电子束聚焦技术成果

1.北方华创“刻蚀方法及半导体工艺设备”专利公布

集微网消息，天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司 “刻蚀方法及半导体工艺设备”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117766382A。

本发明涉及半导体制造领域，具体提供一种刻蚀方法及半导体工艺设备。其中，方法包括：向工艺腔室内部通入工艺气体，并使工艺气体与晶圆表面材料进行刻蚀反应，并生成固态生成物；对晶圆进行加热，以使晶圆表面的固态生成物挥发成混合气体，并控制工艺腔室进行排气；其中，混合气体包含特征气体，且特征气体用于表征固态生成物的挥发程度；检测工艺腔室排出的气体中特征气体的含量，并实时判断检测到的特征气体含量是否到达预设值；若否，则继续检测；若是，则停止对固态生成物进行加热，以使固态生成物的挥发程度达到工艺期望的程度，从而有效控制微结构的形貌，保证工艺效果的一致性。

2.飞骧科技“射频功率放大电路及射频芯片”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，深圳飞骧科技股份有限公司近日取得一项名为“射频功率放大电路及射频芯片”的专利，授权公告号为CN116667798B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2023年7月24日。

本发明提供了一种射频功率放大电路，包括依次连接的输入端、功率放大单元、输出端、以及为所述功率放大单元提供偏置电压的偏置电路；所述偏置电路包括第一偏置电路和第二偏置电路；所述第一偏置电路用于调节阻抗点；所述第二偏置电路为有源偏置电路，用于随着射频功率放大电路的功率增大而逐渐释放电流，以对所述功率放大单元的输入端实现电压补偿，并与所述第一偏置电路共同作用以调节所述射频功率放大电路的线性度。本发明还提供一种射频芯片。与现有技术相比，本发明的射频功率放大电路及射频芯片线性度更好。

3.华虹宏力“半导体结构的形成方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体结构的形成方法”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117766468A。

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构；在衬底内形成阈值电压调节区，阈值电压调节区具有阈值电压调节离子；在衬底内形成轻掺杂漏区，轻掺杂漏区具有轻掺杂离子。通过在栅后进行阈值电压调节离子注入，使得阈值电压调节离子在沟道区域之外具有更深的注入深度。轻掺杂离子在进行阈值电压调节离子的注入后进行，由于阈值电压调节离子在沟道区域之外具有更深的注入深度，进而有利于注入的轻掺杂离子在源漏区域形成更深且更加层次化的结深，从而改善热载流子注入效应。在此过程中，无需增大轻掺杂离子注入能量和退火热量，有效降低对器件结构性能的损伤。同时也无需采用进行非自对准的掩膜离子注入，有效简化了工艺制程。

4.大鱼半导体“一种通信设备组队方法及设备”专利公布

集微网消息，天眼查显示，南京大鱼半导体有限公司“一种通信设备组队方法及设备”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117768848A。

本申请提供了一种通信设备组队方法及设备。该方法响应输入的组队操作，生成组队标识信息；采用无线射频定向单元，向第一通信设备所对准的第二通信设备发送第一信号；若无线射频定向单元接收到第二通信设备返回的第一信号对应的第二信号，则根据第一信号和第二信号，对第二通信设备进行测距，得到第二通信设备相对于第一通信设备的方位信息；根据方位信息，确定第二通信设备是否满足预设组队方位条件；若第二通信设备满足预设组队方位条件，则采用无线射频定向单元向第二通信设备发送具有组队标识信息的第三消息；若无线射频定向单元接收到第二通信设备返回的组队完成响应，则确定第一通信设备和第二通信设备已组队完成。从而，提升组队效率。

5.聚时科技“超分辨率图像转换模型训练、晶圆缺陷检测方法及装置”专利公布

集微网消息，天眼查显示，聚时科技（上海）有限公司“超分辨率图像转换模型训练、晶圆缺陷检测方法及装置”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117764829A。

本申请公开了一种超分辨率图像转换模型训练、晶圆缺陷检测方法及装置，应用于晶圆光学检测技术领域，包括获取目标晶圆的各个单晶粒图像；采用超分辨率图像转换模型对各个单晶粒图像进行特征提取后，基于各个单晶粒图像的单晶粒特征数据对各个单晶粒图像进行亚像素放大处理得到各个超分辨率单晶粒图像；基于基准单晶粒图像对各个超分辨率单晶粒图像进行缺陷检测得到晶圆缺陷检测结果。通过超分辨率图像转换模型对目标晶圆的各个单晶粒图像进行亚像素放大处理，可以在不降低检测产率、不增加硬件性能需求的情况下获得目标晶圆的各个超分辨率单晶粒图像，从而在基于各个超分辨率单晶粒图像进行缺陷检测时，可以提高目标晶圆的缺陷检测精度。

6.华引芯公布电子束聚焦技术成果

集微网消息，近日，华引芯联合华中科技大学研发的一项电子束聚焦技术成果刊发于《自然·通讯》杂志，题为“Boosting the electron beam transmittance of field emission cathode using a self-charging gate”（利用自充电栅极提高场发射阴极的电子束透过率）。这项研究能够实现对电子束的精准控制，在微纳制造领域具有重要应用前景。

根据华引芯介绍，电子束聚焦技术可以通过外加电场或磁场实现，具有高分辨率、精密控制、非接触加工和适用范围广的特点。这一技术被广泛应用于半导体行业的芯片制造、纳米加工领域的纳米结构制备、光刻领域的光罩制作以及光源领域中的显示成像。

研究团队在器件表面沉积了一层驻极体材料氮化硅（SiNx），SiNx驻极体内部的Si3+陷阱中心可以实现对电子的捕获和稳定存储。当电子发射到器件表面后，器件会捕获电子进行充电，充电后的器件表面带负电，从而可以实现对后续电子的稳定聚焦效果。

华引芯表示，这项新技术不同于传统的电子束聚焦方案，无需引入额外的静电场或者磁场，因此能够实现对电子束的精准控制。

据悉，该工作在华中科技大学光电学院与引力中心实验平台共同完成，得到国家自然科学基金等资助。