飞芯电子“一种雪崩光电二极管”专利获授权

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天眼查显示,宁波飞芯电子科技有限公司近日取得多项名为“一种雪崩光电二极管”的专利,授权公告号分别为CN112701172B、CN114551603B ,授权公告日均为2024年3月15日。

本发明公开了一种雪崩光电二极管,包括:至少两个独立的有源区,至少两个淬灭电路,至少两个复位电路以及公共的脉冲输出电路,其中每个淬灭电路以及每个复位电路连接到每个独立的有源区之一;公共脉冲输出电路其连接到所述雪崩光电二极管,通过本发明的结构,有利于在与现有技术相同的宽度尺寸量级前提下明显地提升有源区的面积占比,最有化的实现了更高的探测概率,保证探测结果的准确性。

本发明公开了一种雪崩光电二极管,包括:第一导电类型衬底的基板,与所述衬底具有相同导电材料的保护环结构,所述保护环范围内包含与第一电极相连接的第一导电类型的第一掺杂区,所述保护环的外部范围包含与第二电极相连接的有源区,所述有源区包含第一类型掺杂与第二类型掺杂形成的PN结结构,通过本发明的结构将有源区设置在保护环外围,有利于在与现有技术相同的宽度尺寸量级前提下明显地提升有源区的面积占比,同时通过保持保护环最小宽度要求可靠地隔绝了器件内的横向电流。

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