长电科技引领创新：百微米级芯片高精度热管理，推动高密度芯片封装技术发展

作者：爱集微 03-14 18:05

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在芯片封装技术日益迈向高密度、高性能的今天，长电科技引领创新，推出了一项革命性的高精度热阻测试与仿真模拟验证技术。这一技术标志着长电科技能够提供更精准、更高效的热分析管理，在高密度封测领域的研发实力进一步增强，对于整个半导体行业的技术进步具有重要的推动意义。

如今电子设备的功能不断升级，设备更加小巧化，使用环境更加多样，过热成为电子设备故障的首要原因。在半导体器件中，热失效是最常见的失效模式之一：即在短时间内、在局部空间、通过较大电流时，芯片的功率损耗会转化成热量，容易导致局部温度快速升高，从而烧毁键合材料、EMC材料甚至芯片本身。

半导体器件热管理便是采用适当可靠的方法测试及控制芯片发热单元的温度，保证器件长期运行的安全性和可靠性。

长电科技研发团队经过深入研究与开发，设计出一套基于百微米级芯片发热模拟单元的热管理方案。它结合了先进的热成像技术、高精度温度传感器和定制软件算法。这一方案能够等效模拟2.5D多芯片的实际热生成状态，实现对多芯片温度的多点原位监测，从而确保高密度封装中芯片的性能和稳定。

在2.5D多芯片高密度封装中，多热源的复杂热流边界、相邻热源热耦合、高精度的热阻测试、仿真模拟验证都是封装热管理的关键。长电科技设计开发团队通过将高精度热测试结构函数导入热仿真软件，实现了仿真模型参数的闭环拟合校准；通过采用热阻矩阵法表征多芯片封装热耦合叠加效应，实现了多热源封装热阻等效分析。研究结果表明，多芯片封装固有热阻和耦合热阻均随着芯片功率密度的增加而提高，芯片的热点分布对封装热阻值的影响更为显著。

利用多热点功率驱动电路系统，配合多通道高速采集温度标测系统，长电科技已实现在微小尺度上模拟芯片发热情况，并实时监测其温度变化，为研发人员提供准确、可靠的数据支持，和高效的解决方案，从而协助客户更有效地管理芯片的热性能，提高了研发效率，缩短了产品开发周期。长电科技将持续致力于提高该方案的精度和效率，大力推动高密度封测领域中热管理的进步。