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2024国际集成电路展览会暨研讨会将于3月28日-29日在上海张江科学会堂盛大举办。IIC Shanghai 2024 聚焦绿色能源生态发展、中国 IC 设计成就、EDA 与 IC 设计、IP 与 IC 设计、MCU 与嵌入式系统应用、高效电源管理及宽禁带半导体技术应用、模拟与传感器技术、存储与存算一体技术、Chiplet 与先进封装技术、GPU/AI 芯片与高性能计算应用等领域，涵盖年度创新产品展示、权威发布、产业峰会、技术研讨会、产业人才等多维度活动内容。作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯将携IGBT、SiC MOSFET等高性能高压器件的解决方案隆重亮相本次展会。
欢迎各界朋友莅临上海张江科学会堂海科厅1C-10展位，全面感受瑶芯的创新成果和整体解决方案，并与我们的技术人员进行深入交流，共同分享行业前沿科技、共话技术发展蓝图。
展台信息
展台位置：海科厅1C-10
展览时间：
2024年3月28日 09：00-18：00
2024年3月29日 09：00-17：00
参展产品抢先看
SiC MOSFET(1200V 80mR TO-247-4L)
AK1CK2M080WAMH-A
AKS专门针对该款产品进行内部结构优化，使其具备极低的寄生电容，兼具优良的高温特性，极大优化半桥应用的“串扰”影响，支持“零压关断”
SiC MOSFET (1200V 16mR TO-247-4L)
AKCK2M016WAMH
为大功率高压直流充电桩和储能应用以及其他高压高频、大电流、低损耗应用场景打造，结合AKS第四代SiC MOSFET平台，助您搭建成熟、稳定的电子电子设备
SiC MOSFET (2300V 40mR TO-247PLUS-4L)
AKCL3M040YAMH
国内首发推出2300V SiC MOSFET平台，器件具有高达2300V的耐压，轻松应对1500V储能系统高压需求，简化应用方案
IGBT (1200V 140A TO-247PLUS-4L)
AK1BK2A140YAHH
载流能力高达140A的IGBT器件，在100kW及以上逆变应用方案中，结合产品极低的开关损耗和高开关速度，是大电流单管并联方案的极佳选择，助您轻松实现技术降本
