大摩:明年存储芯片市场度过寒冬 迎来周期性需求改善

来源:钜亨网 #存储芯片#
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摩根士丹利12月13日的报告中再次上调存储芯片涨价预期,其指出从修正后的每股获利来看,美股存储股现在较上一个周期要便宜得多,存储芯片行业将进入周期性增长加速、需求明显提高的时期。

大摩在报告中指出,下游补库存,供给远低于需求,明年第一季存储芯片价格有望大幅上涨:“我们预估 DRAM 和 NAND 价格将在明年第一季上涨 20%,最新的预期较此前增幅翻倍,此前的预期是 DRAM 价格涨幅为 8% 至 13%,NAND 价格涨幅为 5% 至 10%。”

下游客户已开始补库存,中国智能手机 OEM 厂明年第一季订单量将大幅增加,电脑 ODM/ OEM 也在建立库存。而智能手机制造商重新补库存将带来价格的上涨,库存将恢复到正常水准 (移动 DRAM 需要 4 至 6 周,NAND 需要 6 至 7 周)。

从供需方面来看,存储芯片商在大幅减产之后,产量远远低于需求,随着需求的改善,明年的价格上涨前景将更加明确。

进一步来看,大摩指出,人工智能 (AI) 需求将进一步提振存储芯片价格:“我们还需要考虑到明年 HBM 芯片100 亿美元市场规模长的影响,以及 AI 需求的突然出现将导致供应短缺延长。”

此外,虽然 AI 应用程序大部分都部署在云端,但从 2024 年开始,边缘计算需求将变得越来越普遍 (行动 AI),并可能逐渐进入智能手机升级周期。

整体来看,大摩认为,随着每股获利年增加速,存储股往往表现优异,现在刚刚进入周期中期 / 乐观阶段,DRAM 现货价格年增为 - 16%,距离峰值水准仍有距离。而抛开估值不谈,存储芯片周期已经从今年第一季的低点恢复,进入明年将进一步改善。

根据最新的产业数据,大摩上调三星和 SK 海力士的每股获利预期,并预估海力士将在第四季实现获利,并在 HBM 市占增长和大宗商品价格大幅改善的推动下,进入获利周期,到明年底 / 2025 年初将达到创纪录的水准。三星则将通过存储涨价快速提高利润率,同时或将从融入 AI 技术的 S24 edge 产品中受惠,该产品将在明年第一季推出。

责编: 爱集微
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