精彩纷呈，东芯半导体首日亮相2023年上海国际嵌入式展

SLC NAND Flash产品品类丰富、功耗低、可靠性高。存储容量覆盖 512Mb 至 32Gb，可灵活选择 SPI / PPI 类型接口， 3.3V/1.8V两种电压。

产品核心技术优势明显， SPI NAND Flash采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC 模块与接口模块统一集成在同一芯片内。

同时产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10 万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10 年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。

NOR Flash

存储容量覆盖64Mb至1Gb，

符合-40℃-85℃/105℃的工业标准，

支持多种数据传输模式，

完成从65nm至48nm的制程推进。

DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点。

针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的 LPDDR 系列产品具有低功耗、高传输速度等特点。