第三代半导体材料主要用于光电子器件、电力电子器件和微波射频器件等领域。作为第三代半导体的代表性材料，SiC和GaN正迎来快速发展机遇。
融资数据释放积极信号
集微网统计显示，2022年上半年，尽管受疫情影响，但国内第三代半导体领域融资热依旧延续，释放积极市场信号。上半年，第三代半导体领域融资事件超20起，总融资额超57亿元。
其中，融资额最高的为英诺赛科近30亿元D轮融资事件。
2021年下半年，第三代半导体领域融资事件超19起，融资总额超118亿元，其中融资额最高的为积塔半导体80亿元战略融资事件。同时，积塔半导体此次融资，也成为2021下半年与2022上半年第三代半导体领域融资额差距的“原因”。
集微网统计显示，从2020年下半年开始，第三代半导体领域融资事件呈高速增长势态，折射出良好的市场前景预判及旺盛的市场需求。2021年，在新能源汽车、工业互联、5G通信、消费类电子等领域的需求拉动下，第三代半导体产业加速发展。伴随SiC和GaN为代表的第三代半导体持续在电力电子市场取得突破，2022年全球第三代半导体市场总体将保持增长态势。
电力电子器件拉动GaN热度上扬
SiC/GaN器件是目前应用较多的宽禁带半导体器件。相比传统的Si器件，宽禁带半导体器件有着耐压高、导通电阻小、开关损耗低、温度特性好、散热性能好等优点。
由于GaN和SiC在材料性能上各有优势，因此在应用领域上各有侧重和互补。SiC器件更适用于最高环境温度高，或散热需求高，或满载要求效率极高的环境，主要的应用器件有功率控制单元、逆变器，DC-DC转换器、车载充电器等，尤其在新能源汽车市场的广阔前景之下，带动SiC功率器件迅猛增长。
GaN器件具备极快开关速度和极低的开关损耗等优势，因此适用于需要高频率开关的场合。GaN现阶段主要用于电力电子器件 、射频器件以及光电器件。目前，GaN在消费电子市场的快速充电器上已经得到广泛应用，由于具备开关频率高这一优势，使得GaN充电器可以减小变压器和电容体积以及发热量。2019年9月，OPPO发布国内首款GaN充电器SuperVOOC2.0，充电功率为65W，是全球首家在手机充电器中导入GaN技术的厂商。
从被投企业类别来看，GaN领域企业融资事件与融资总额显著上升。其中，2022上半年GaN领域企业融资次数为7，英诺赛科完成近30亿元D轮融资，晶湛半导体、元旭半导体也都宣布完成数亿元融资。
Yole数据显示，GaN器件市场正以59%的复合年增长率 (CAGR) 从2021年的1.26亿美元增长到2027年的20亿美元，这一数据显著高于Yole对SiC器件市场34%的同期年复合增长率预判。到2027年，消费类电源市场的价值将超过9.156亿美元，2021年至2027年的年复合增长率为52%。
得益于充电头等消费市场拉动，GaN电力电子器件市场规模在国内也将保持高速增长。据CASA Research数据，2020年国内PD快充GaN电力电子器件市场规模约1.5亿元，预计到2025年市场规模将超过40亿元，年均复合增长率97%。（校对/赵碧莹）
