(图自elchapuzas)
据科技网站elchapuzas报道,投行摩根斯坦利日前走访半导体设备供应商,得知台积电即将完成其改进版3纳米工艺N3E的开发,最早将于本月底实现工艺规范冻结,基于N3E工艺的产品大规模量产或将在2023年第二季度实现,较此前规划提早一个季度。
其他信息还包括:N3E工艺试产良率远高于N3B,在减少4层EUV掩膜的情况下,逻辑电路密度仅较原先的N3工艺下降8%,较5纳米节点仍有60%的提升。
(校对/Jenny)
(图自elchapuzas)
据科技网站elchapuzas报道,投行摩根斯坦利日前走访半导体设备供应商,得知台积电即将完成其改进版3纳米工艺N3E的开发,最早将于本月底实现工艺规范冻结,基于N3E工艺的产品大规模量产或将在2023年第二季度实现,较此前规划提早一个季度。
其他信息还包括:N3E工艺试产良率远高于N3B,在减少4层EUV掩膜的情况下,逻辑电路密度仅较原先的N3工艺下降8%,较5纳米节点仍有60%的提升。
(校对/Jenny)
*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创
PDF 加载中...