IBM首创2nm技术，专家:难超越台积电

国际商业机器公司（IBM）发表号称全球首创的二纳米芯片制造技术，工研院产科国际所研究总监杨瑞临昨天表示，这印证环绕闸极技术（GAA）新结构的可行性，将可加速GAA量产，是半导体业的大事；但预料离真正量产需须一段时间，台积电在全球代工地位应不会动摇。

目前IBM二纳米仍还在试产阶段，证明比现今主流七纳米芯片，运算速度据信可快百分之四十五，效能提高百分之七十五，但杨瑞临强调，由于离真正量产需须一段时间，相信这段期间，台积电也会加速二纳米研发脚步，以台积电厚实的量产能力，一般预料全球主要芯片厂仍会选择采用台积电的二纳米技术，不会轻易投片在取得IBM技术授权的代工厂。

目前三星已领先全球在三纳米率先导入GAA技术，台积电则决定在二纳米才导入，台积电深信在三纳米延用鳍式场效电芯片，成本效益将远优于GAA。从台积电目前规画建置三纳米产能已超过五纳米量产第一年的数量，未来甚至逐步扩大到每月十五万片产能，可看出主要客户仍选定优先采用台积电三纳米，再推进至二纳米。

杨瑞临说，IBM发表的二纳米芯片制造技术，采用全新GAA架构，验证了GAA的可行性，将可加速GAA的量产及商品化时程。至于IBM长期与三星合作，这次在二纳米技术获重大突破，是否有助三星现有的三纳米制程发展，值得密切观察，不过目前台积电仍取得客户端信赖优势。

台积电董事长刘德音今年二月受邀于二○二一年国际固态电路会议开场线上专题演说时说，台积电三纳米制程今年下半年试产，明年下半年量产，进度提前；且和五纳米相较，逻辑密度可提升一点七倍，运算速度提升百分之十一、运算功耗可减少百分之二十七。

台积电的二纳米研发也加速进行，未来生产基地位于新竹宝山，将规画四个旗舰厂，另在中科厂旁也正觅地做为二纳米的扩大需求及未来一纳米的生产据点，制程推进不受IBM宣称二纳米试产成功干扰。